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基于第一性原理的钴掺杂氧化锌材料特性与机制研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学与技术领域,半导体材料始终占据着举足轻重的地位,其性能的优化与拓展对诸多关键领域的发展起着决定性作用。氧化锌(ZnO)作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,室温下带隙宽度达3.37eV,激子结合能高达60meV,凭借着这些优异的本征特性,ZnO在众多领域展现出巨大的应用潜力。
在光电器件领域,ZnO的宽带隙特性使其在紫外光发射与探测方面表现出色,可用于制造高效的紫外发光二极管(UV-LED)和高灵敏度的紫外线探测器,满足如生物医学检测、环境监测等对紫外光精准应用的需求。在压敏器
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