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液相合成氧化铟与硫化铟纳米结构材料及其性能研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今材料科学飞速发展的时代,纳米结构材料因其独特的物理化学性质,成为众多科研领域的研究焦点。氧化铟(In_2O_3)和硫化铟(In_2S_3)作为重要的半导体材料,凭借其在光电器件、传感器、能源转换等诸多领域展现出的广阔应用前景,吸引了科研人员的广泛关注。
氧化铟是一种宽带隙半导体,具有较小的电阻率和较高的催化活性,在常温下为白色或淡黄色粉末,高温下转变为红褐色,不溶于水,可溶于热无机酸,熔点高达2000℃。由于其特殊的电子结构和物理性质,在光电领域,氧化铟纳米晶体薄膜常被用作透明导电薄膜,不仅具备优异的透
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