第1章 晶体二极管.pptVIP

第1章晶体二极管例2已试求图(a)所示电路的静态工作点电压和电流。DR1R2+—VDD(a)+-RTVTDI+-V(b)IVQVTVT/RTVQIQ(c)用戴维南定理将图(a)中的关外电路简化成图(b)所示电路，其中VT=VDDR2/(R1+R2)，RT=R1//R2。可写出直流负载线方程：V=VT-IRT解：*第61页，共82页，星期日，2025年，2月5日二、简化分析法即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化电路模型替代，然后分析求解。(1)估算法判断二极管是导通还是截止？假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。理想二极管：若V0，则管子导通；反之截止。实际二极管：若VVD(on)，管子导通；反之截止。当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。第1章晶体二极管*第62页，共82页，星期日，2025年，2月5日例3设二极管是理想的，求VAO值。图(a)，假设D开路，则D两端电压：VD=V1–V2=(–6–12)V=–18V0V,，解：故D截止,。VAO=12V。+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3k?(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3k?6V9V(b)图(b)，假设D1、D2开路，则D两端电压：VD1=V2–0=9V0V，VD2=V2–(–V1)=15V0V。由于VD2VD1，则D2优先导通。此时VD1=–6V0V，故D1截止。VAO=–V1=–6V。第1章晶体二极管*第63页，共82页，星期日，2025年，2月5日画输出信号波形方法根据输入信号大小?判断二极管的导通与截止?找出vo与vi关系?画输出信号波形。例4设二极管是理想的，vi=6sin?t(V)，试画vo波形。解：vi2V时，D导通，则vO=vivi?2V时，D截止，则vO=2V由此可画出vO的波形。+-DV+-+-2V100?Rvovit62OVi/VVo/VtO26第1章晶体二极管*第64页，共82页，星期日，2025年，2月5日第1章晶体二极管例5如图(a)所示电路中，D1，D2的VD(on)=0.7V，RD=100?，试画出VO随VI变化的传输特性。R1D1D2R2VDD2VDD1VOVI+_+_+_+_100k?200k?100V25VA(a)R1D1D2R2VDD2VDD1VOVI+_+_+_+_100k?200k?100V25VAI(b)将D1、D2看为理想二极管*第65页，共82页，星期日，2025年，2月5日二、P型半导体+4+4+3+4+4简化模型：P型半导体少子——自由电子多子——空穴空穴本征半导体中掺入少量三价元素(硼\镓\铟)构成。第1章晶体二极管三价元素：受主杂质杂质浓度：Na*第29页，共82页，星期日，2025年，2月5日三、杂质半导体中载流浓度计算杂质半导体呈电中性少子浓度取决于温度。多子浓度取决于掺杂浓度。第1章晶体二极管热平衡条件:多子浓度与少子浓度的乘积=本征半导体载流子浓度ni的平方电中性条件:多子浓度=参杂浓度+少子浓度;（半导体中的正电荷量=负荷电量）即得热平衡方程：其中:n0电子浓度p0空穴浓度ni本征载流子浓度N型：即得电中性方程：