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2025年5G基站芯片3nmGAAFET技术路线图及专利布局研究.docx

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    2025年5G基站芯片3nmGAAFET技术路线图及专利布局研究模板范文

    一、标题：2025年5G基站芯片3nmGAAFET技术路线图及专利布局研究

    1.1芯片技术发展趋势

    1.23nmGAAFET技术特点

    1.2.1更高的晶体管密度

    1.2.2更低的漏电流

    1.2.3更高的性能

    1.3技术路线图

    1.3.1研发阶段

    1.3.2设计阶段

    1.3.3制造阶段

    1.3.4应用阶段

    1.4专利布局

    1.4.1GAAFET晶体管结构及其制造方法

    1.4.23nm工艺节点的制造工艺

    1.4.35G基站芯片设计

    1.4.43nmGAAFET技术相关应用

    二、3nmGAAFET

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