微机原理第四章存储器.pptVIP

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2025-09-19 发布于广东
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微机原理第四章存储器.ppt

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4-*(3)确定译码电路片选译码电路1A12A13A14A15A16A17A18A191KΩ+5VCBG2AG1AY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7F8000～F8FFFHF8000～F8FFFHFA000～FAFFFHFB000～FBFFFHFC000～FCFFFHFD000～FDFFFHFE000～FEFFFHFF000～FFFFFH74LS138G2BIO/M4.4.3存储器接口设计第29页，共51页，星期日，2025年，2月5日4-*(4)存储器电路1A12A13A14A16A15WAITIO/MA17A18A191kΩY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7ABCG2AG2BG174LS138+5VA0～A11273232K×8bitD0～D7CSCSOECSRDCSCSCSCSCS4.4.3存储器接口设计第30页，共51页，星期日，2025年，2月5日4-*解：该例SRAM芯片字长不足8位,需用2个芯片为一组进行位扩展后，再进行字扩展。芯片组位分配地址范围A19A18A17A16A15A14A13A12～A00#、2#10010000000～1FFFH90000～91FFFH1#、3#10010010000～1FFFH92000～93FFFH例4.2试用8K×4位的SRAM芯片为某8088微机系统构成一个16KB的RAM存储器，RAM的起始地址为90000H。(1)列出各芯片组的地址范围和存储器地址位分配4.4.3存储器接口设计第31页，共51页，星期日，2025年，2月5日4-*（2）用门电路译码来产生2个芯片组的片选信号。字位扩展设计如下：用8K×4位芯片构成的16KB存储器A0～A12CSD0～D3WE8K×4位(1#)A0～A12CSD0～D3WE8K×4位(2#)A0～A12CSD0～D3WE8K×4位(0#)WRD4～D7413A0～A12A19A18A17A16A15A14A0～A12CSD0～D3WE8K×4位(3#)D0～D34≥1≥1A13M/IO4.4.3存储器接口设计第32页，共51页，星期日，2025年，2月5日4-*例4.3试用16K×8位的SRAM芯片为某8086微机系统设计一个256KB的RAM存储器系统，RAM的起始地址为00000H。偶数存储体奇数存储体芯片A19A18A17A16A15A14～A1A0芯片A19A18A17A16A15A14～A1A00000000000～FFFFH00000000000～FFFFH11000010000～FFFFH01000010000～FFFFH12000100000～FFFFH02000100000～FFFFH13000110000～FFFFH03000110000～FFFFH14001000000～FFFFH04001000000～FFFFH15001010000～FFFFH05001010000～FFFFH16001100000～FFFFH06001100000～FFFFH17001110000～FFFFH07001110000～FFFFH1解：此例要采用双体结构。这时，两个存储体中各存储芯片的地址位分配如下表所示。4.4.