欧姆接触优化策略及其对AlGaN_GaN高电子迁移率晶体管性能影响的深度剖析.docx

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2025-09-19 发布于上海
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欧姆接触优化策略及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体器件的发展历程是一部不断创新与突破的历史，对现代科技的进步产生了深远影响。自20世纪中叶晶体管诞生以来，半导体器件经历了从简单到复杂、从低性能到高性能的演变，推动了电子产品的小型化、智能化和高效化。从早期的锗晶体管到后来的硅基集成电路，半导体技术的每一次革新都带来了计算能力的飞跃、通信速度的提升以及能源利用效率的提高，广泛应用于计算机、通信、消费电子、医疗等众多领域，成为现代社会不可或缺的关键技术。

在半导体器件的发展进程中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEM