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硅通孔技术赋能三维集成电路：设计、性能与挑战的深度剖析.docx

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    硅通孔技术赋能三维集成电路：设计、性能与挑战的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在当今数字化时代，电子产品正朝着小型化、高性能、多功能以及低功耗的方向飞速发展。从智能手机、平板电脑等便携式设备，到人工智能、大数据处理、高性能计算等前沿领域的硬件需求，都对集成电路的性能和集成度提出了前所未有的挑战。传统的二维集成电路由于在互连延迟、功耗以及集成度提升等方面遭遇瓶颈，难以满足这些不断增长的需求，这促使了三维集成电路（3D-IC）技术的兴起。

    三维集成电路通过将多个芯片或晶圆垂直堆叠，并利用硅通孔（Through-SiliconVia，TSV）等技术实现芯片间的垂直互连，突破了二维平面

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