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电力电子期中考试及答案

电力电子期中考试

一、选择题（每题3分，共30分）

1.电力电子器件中，属于半控型器件的是（）。

A.晶闸管

B.功率晶体管

C.功率MOSFET

D.IGBT

2.晶闸管的触发电流是（）。

A.阳极电流

B.阴极电流

C.门极电流

D.阳极和阴极电流

3.以下哪个器件不属于全控型器件（）。

A.绝缘栅双极晶体管（IGBT）

B.功率MOSFET

C.双极型晶体管（BJT）

D.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）

4.晶闸管的导通条件是（）。

A.阳极电压大于阴极电压

B.门极电压大于阴极电压

C.阳极电流大于维持电流

D.以上都是

5.以下哪个器件是电压驱动型器件（）。

A.晶闸管

B.功率MOSFET

C.绝缘栅双极晶体管（IGBT）

D.双极型晶体管（BJT）

6.电力电子变换器中，整流器的主要功能是（）。

A.将交流电转换为直流电

B.将直流电转换为交流电

C.将交流电转换为交流电

D.将直流电转换为直流电

7.以下哪个器件是电流驱动型器件（）。

A.晶闸管

B.功率MOSFET

C.绝缘栅双极晶体管（IGBT）

D.双极型晶体管（BJT）

8.晶闸管的关断条件是（）。

A.阳极电压小于阴极电压

B.门极电压小于阴极电压

C.阳极电流小于维持电流

D.以上都是

9.以下哪个器件具有自关断能力（）。

A.晶闸管

B.功率MOSFET

C.绝缘栅双极晶体管（IGBT）

D.双极型晶体管（BJT）

10.电力电子变换器中，逆变器的主要功能是（）。

A.将交流电转换为直流电

B.将直流电转换为交流电

C.将交流电转换为交流电

D.将直流电转换为直流电

二、填空题（每空2分，共20分）

1.晶闸管的触发方式有__________和__________两种。

2.晶闸管的导通条件是阳极电流大于__________电流。

3.功率MOSFET的驱动方式是__________驱动。

4.绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种__________型器件。

5.电力电子变换器中，整流器的输出电压是__________电。

6.电力电子变换器中，逆变器的输出电压是__________电。

7.晶闸管的关断条件是阳极电流小于__________电流。

8.双极型晶体管（BJT）是一种__________型器件。

9.功率MOSFET的驱动方式是__________驱动。

10.电力电子变换器中，交流-交流变换器的主要功能是将__________电转换为__________电。

三、简答题（每题10分，共40分）

1.简述晶闸管的工作原理。

2.简述功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的主要区别。

3.简述电力电子变换器中整流器和逆变器的主要功能。

4.简述电力电子变换器中交流-交流变换器的主要功能。

四、计算题（共20分）

1.已知晶闸管的阳极电压为1000V，阴极电压为0V，门极电压为5V，阳极电流为10A，试计算晶闸管的导通条件是否满足。（10分）

2.已知功率MOSFET的栅极电压为10V，漏极电压为50V，漏极电流为5A，试计算功率MOSFET的导通条件是否满足。（10分）

电力电子期中考试答案

一、选择题

1.A

2.C

3.C

4.D

5.B

6.A

7.A

8.C

9.B

10.B

二、填空题

1.正向电压触发、正向电流触发

2.维持

3.电压

4.电压驱动

5.直

6.交

7.维持

8.电流驱动

9.电压

10.交、交

三、简答题

1.晶闸管是一种四层三端半导体器件，其工作原理基于PN结的单向导电性。当阳极电压大于阴极电压，且门极电压大于阴极电压时，晶闸管导通。导通后，即使门极电压消失，晶闸管仍然保持导通状态，直到阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会关断。

2.功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的主要区别在于结构和驱动方式。功率MOSFET是一种电压驱动型器件，其驱动电路简单，开关速度快，但导通压降较大。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种电压驱动型器件，其驱动电路相对复杂，开关速度较慢，但导通压降较小，适用于高电压、大电流场合。

3.电力电子变换器中，整流器的主要功能是将交流电转换为直流电，逆变器的主要功能是将直流电转换为交流电。

4.电力电子变换器中，交流-交