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模拟电子技术基本教程第三版华成英答案

《模拟电子技术基本教程第三版华成英》模拟试题

一、单选题（每题3分，共30分）

1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

答案：

C

解析：在杂质半导体中，多数载流子由掺杂产生，所以其浓度主要取决于杂

质浓度。

2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）

A.增大B.减小C.不变D.无法确定

答案：

A

解析：温度升高时，二极管内部的载流子运动加剧，导致反向饱和电流增大。

某放大电路中，晶体管三个电极的电流分别为、、，已知，

3.IEIBICIE=2.02mA

IB=20μA，则IC为（）

A.2.04mAB.1.98mAC.2mAD.0.02mA

答案：

B

解析：根据晶体管电流关系IE=IB+IC，可得IC=IEIB=2.02mA0.02mA

=1.98mA。

4.共射极放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（）

A.同相B.反相C.相差90°D.无法确定

答案：

B

解析：共射极放大电路的电压放大倍数为负值，所以输出电压与输入电压反

相。

5.多级放大电路的级数越多，其上限频率（）

A.越高B.越低C.不变D.与级数无关

答案：

B

解析：多级放大电路级数增多会使耦合电容和晶体管结电容等影响增大，导

致上限频率降低。

6.集成运放工作在线性区时，其两个输入端的电位关系是（）

A.相等B.差模输入电压为零C.同相端电位高于反相端电位D.同相

端电位低于反相端电位

答案：

B

解析：集成运放工作在线性区时满足虚短特性，即两个输入端电位近似相等，

差模输入电压为零。

7.理想运算放大器的开环电压放大倍数Aod为（）

A.0B.1C.无穷大D.有限值

答案：

C

解析：理想运算放大器开环电压放大倍数无穷大。

某串联电路中，，，则其时间常数为（）

8.RCR=10kΩC=0.1μFτ

A.1sB.10sC.0.1sD.0.01s

答案：

A

解析：时间常数τ=RC=10kΩ×0.1μF=1s。

9.正弦波振荡电路的振荡频率f0由（）决定。

A.放大倍数B.反馈网络C.选频网络D.稳幅环节

答案：

C

解析：选频网络决定了正弦波振荡电路的振荡频率。

10.稳压管正常工作时应处于（）状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.放大

答案：

C

解析：稳压管正常工作在反向击穿状态来实现稳压。

二、多选题（每题5分，共25分）

1.下列属于半导体特性的有（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

答案：

ABC

解析：半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，绝缘性是绝缘体特性。

2.三极管的三个工作区域包括（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

答案：

ABC

解析：三极管工作区域为放大区、饱和区和截止区，击穿区不是正常工作区

域。

3.影响放大器静态工作