1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 报告/分析
  5. 技术指导

深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发进展与挑战.docx

深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发进展与挑战.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发进展与挑战

    一、深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发进展与挑战

    1.1GAAFET工艺的技术背景

    1.23nm以下GAAFET工艺的研发进展

    1.2.1材料创新

    1.2.2沟道结构优化

    1.2.3制程技术突破

    1.33nm以下GAAFET工艺的挑战

    1.3.1材料稳定性

    1.3.2制程精度

    1.3.3能耗与散热

    二、3nm以下GAAFET工艺的材料创新与挑战

    2.1沟道材料创新

    2.2绝缘层材料创新

    2.3电极材料创新

    三、3nm以下GAAFET工艺的制程技术与挑战

    3.1光刻技术挑战

    3.2刻蚀技术挑

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    藏灵阁 + 关注
    官方认证
    内容提供者

    该用户很懒，什么也没介绍

    咨询Ta 进入空间
    版权声明书
    用户编号：6124135152000030
    认证主体 深圳市南山区美旭的衣橱服饰店
    IP属地河北
    统一社会信用代码/组织机构代码
    92440300MA5GRW267R

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >