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2025年电子技术试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.当PN结处于正向偏置时，其内部载流子的主要运动方式为（）。

A.漂移运动为主

B.扩散运动为主

C.漂移与扩散运动相等

D.无规则热运动

答案：B

解析：正向偏置时，外电场削弱内建电场，多子扩散运动增强，成为主要运动方式。

2.某场效应管的转移特性曲线显示，当栅源电压UGS=0时存在较大漏极电流ID，且UGS为负时ID减小，该管类型为（）。

A.N沟道增强型MOS管

B.P沟道增强型MOS管

C.N沟道耗尽型MOS管

D.P沟道耗尽型MOS管

答案：C

解析：耗尽型MOS管在UGS=0时已有导电沟道，N沟道管需负栅压才能关断，符合题干描述。

3.逻辑函数F=AB+AC+BC的最简与或表达式为（）。

A.AB+AC

B.AB+BC

C.AC+BC

D.AB+AC+BC（无法化简）

答案：A

解析：利用卡诺图或公式法化简，BC=BC(A+ā)=ABC+āBC，与原式AB+AC合并后冗余项BC被消去。

4.共集电极放大电路的主要特点是（）。

A.电压放大倍数高，输入电阻小

B.电压放大倍数近似为1，输出电阻小

C.电流放大倍数低，输出电阻大

D.既能放大电压又能放大电流

答案：B

解析：共集电路（射极跟随器）电压增益约为1，输入电阻高，输出电阻低，起阻抗变换作用。

5.若8位A/D转换器的参考电压为5V，则其分辨率为（）。

A.约19.5mV

B.约39mV

C.约78mV

D.约156mV

答案：A

解析：分辨率=Vref/(2?-1)=5V/255≈19.5mV。

6.稳压二极管正常工作时应处于（）。

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.饱和区

答案：C

解析：稳压二极管利用反向击穿时电压稳定的特性工作，需串联限流电阻。

7.一阶RC低通滤波器的截止频率f?=1/(2πRC)，当R增大一倍时，f?（）。

A.增大一倍

B.减小一半

C.增大两倍

D.不变

答案：B

解析：截止频率与R成反比，R增大一倍则f?减半。

8.同步RS触发器中，当R=1、S=0且CP=1时，触发器输出状态为（）。

A.置1（Q=1）

B.置0（Q=0）

C.保持原态

D.不确定（禁止状态）

答案：B

解析：同步RS触发器在CP=1时，R=1、S=0执行置0操作（Q=0，Q?=1）。

9.差分放大电路抑制零点漂移的主要机制是（）。

A.采用对称电路结构和共模负反馈

B.增大电源电压

C.使用高精度电阻

D.提高静态工作点电流

答案：A

解析：对称结构使两管温漂相互抵消，共模负反馈进一步抑制共模信号（包括漂移）。

10.LC正弦波振荡电路要维持稳定振荡，需满足（）。

A.相位平衡条件（φA+φF=2nπ）且|AF|=1

B.相位平衡条件（φA+φF=2nπ）且|AF|1

C.幅度平衡条件（|AF|=1）且相位任意

D.仅需|AF|≥1

答案：A

解析：起振需|AF|1，稳定振荡需|AF|=1且满足正反馈（相位条件）。

二、填空题（每题2分，共20分）

1.三极管工作在放大区时，发射结需______偏置，集电结需______偏置。

答案：正向；反向

2.某放大电路输入正弦信号时，输出波形出现顶部削平失真，说明静态工作点______（过高/过低），属于______失真（饱和/截止）。

答案：过低；截止

3.逻辑函数F=āB+AC的反函数F?=______（化简为最简与或式）。

答案：(A+ā)(ā+C?)(B?+C?)→化简后为āB?+AC?（注：正确化简应为F?=(A+B?)(ā+C?)=Aā+AC?+āB?+B?C?=AC?+āB?）

答案：AC?+āB?

4.集成运放工作在线性区时，需引入______反馈；工作在非线性区时，通常处于______状态（开环/闭环）。

答案：负；开环

5.555定时器构成施密特触发器时，其上限阈值电压UTH=______，下限阈值电压UTL=______（设VCC为电源电压）。

答案：2VCC/3；VCC/3

6.D/A转换器的位数n越多，其转换精度越______（高/低），分辨率越______（大/小）。

答案：高；小

7.差分放大电路的共模抑制比KCMR=__