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2025年电子类试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某线性时不变电路中，已知节点A的电位为5V，节点B通过1kΩ电阻与节点A相连，且节点B电位为3V，则电阻中电流的大小和方向为（）。

A.2mA，从A到B

B.2mA，从B到A

C.5mA，从A到B

D.3mA，从B到A

2.N型半导体中多数载流子是（）。

A.空穴

B.自由电子

C.正离子

D.负离子

3.某放大电路的输入电阻为10kΩ，输出电阻为500Ω，当接入10kΩ负载电阻时，电压放大倍数为-80。若负载电阻增大至20kΩ，其他条件不变，此时电压放大倍数约为（）。

A.-76

B.-84

C.-90

D.-100

4.逻辑函数F=AB+AC+BC的最简与或表达式为（）。

A.AB+AC

B.AB+BC

C.AC+BC

D.AB+AC+BC（已最简）

5.555定时器构成的单稳态触发器中，若外接定时电阻R=10kΩ，电容C=1μF，则输出脉冲宽度约为（）。

A.0.7ms

B.7ms

C.10ms

D.14ms

6.通信系统中，将模拟信号转换为数字信号的过程不包括（）。

A.采样

B.量化

C.编码

D.调制

7.差分放大电路抑制零点漂移的主要原因是（）。

A.采用双电源供电

B.电路参数对称

C.引入负反馈

D.发射极接大电阻

8.某D/A转换器的分辨率为12位，基准电压为5V，则其最小输出电压增量为（）。

A.1.22mV

B.2.44mV

C.4.88mV

D.9.76mV

9.若正弦波振荡电路的起振条件为|AF|1，其中A为放大倍数，F为反馈系数，则维持等幅振荡的条件是（）。

A.|AF|=1，相位差为0°

B.|AF|1，相位差为180°

C.|AF|=1，相位差为180°

D.|AF|1，相位差为0°

10.关于场效应管（FET）和双极型晶体管（BJT）的对比，错误的是（）。

A.FET输入电阻远高于BJT

B.FET热稳定性优于BJT

C.FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件

D.FET的噪声比BJT大

二、填空题（每空1分，共20分）

1.基尔霍夫电流定律（KCL）的本质是______守恒，其数学表达式为______。

2.半导体二极管的正向伏安特性曲线可近似为______模型，反向特性在击穿前可视为______。

3.集成运算放大器的两个重要特性是______和______（理想情况下）。

4.组合逻辑电路的输出仅取决于______时刻的输入，而时序逻辑电路的输出还与______有关。

5.施密特触发器的主要特点是具有______特性，常用于______和______电路。

6.调频（FM）信号的抗干扰能力比调幅（AM）信号______，但占用的频带宽度比AM______。

7.直流稳压电源的基本组成包括______、______、______和______四个部分。

8.某8位二进制十进制值为______，其补码表示的十进制负数为______。

三、简答题（每题6分，共30分）

1.简述负反馈对放大电路性能的影响（至少列出4点）。

2.说明TTL与非门输入端悬空时的逻辑状态，并解释原因。

3.比较同步时序电路与异步时序电路的异同点。

4.什么是ADC的量化误差？如何减小量化误差？

5.画出RC桥式正弦波振荡电路的原理框图，并说明起振条件和选频网络的作用。

四、计算题（共20分）

1.（8分）如图1所示电路，已知R1=2kΩ，R2=3kΩ，R3=6kΩ，Us=12V，Is=2mA。求：（1）节点A的电位；（2）电阻R3中的电流大小及方向。

图1：电路示意图（注：实际考试中应包含具体电路连接，此处简化描述：Us与R1串联后接节点A，R2一端接节点A、另一端接地，R3一端接节点A、另一端接电流源Is，Is另一端接地）

2.（6分）某共射极放大电路中，三极管β=100，rbe=1.5kΩ，Rb=200kΩ，Rc=3kΩ，RL=3kΩ，Vcc=12V。求：（1）静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；（2）电压放大倍数Au。

3.（6分）设计一个3变量奇偶校验电路，当输入变量中有奇数个1时输出为1，否则为0。要求：（1）写出逻辑表达式；（2）用与非门实现（画出逻辑图）。

五、综合分析题（共10分