非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 T CASAS 052—2025.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40

团体标准

T/CASAS052—2025

非钳位感性负载开关应力下GaNHEMT在线

测试方法

OnlinetestmethodofGaNHigh-Electron-Mobility-Transistorunder

unclampedinductiveswitching

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2025-05-26发布2025-05-26实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS052—2025

非钳位感性负载开关应力下GaNHEMT在线测试方法

1范围

本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测

试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。

本文件适用于封装级GaNHEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

非钳位感性负载开关unclampedinductiveswitching;UIS

工作在感性负载条件下经受高压和电流应力的开关。

注：感性负载无并联电压钳位电路。

双脉冲测试DoublePulseTest;DPT

一种针对功率半导体器件开关性能评估的测试方法。通过施加两个脉冲信号，模拟器件在实际电路

中的开关过程。

封装级GaNHEMT晶体管

GaNHEMT

被封装的氮化镓高电子迁移率晶体管器件。

UIS测试后的器件动态导通电阻dynamicon-resistanceafterUISphase

R

DS(dyn)

UIS电应力后的器件导通电阻，值取自双脉冲测试（DPT）中I第二个上升时段从关断状态转换为开

DS

启状态后，在t=1μs时测量的V/I。

mDSDS

UIS测试后的器件阈值电压thresholdvoltageafterUISphase

V

TH(UIS)

UIS电应力后的器件阈值电压，值取自双脉冲测试（DPT）中I第一个上升时段到达器件datasheet

DS

阈值电压测量点的电流值时的栅极电压V。

GS

开态脉冲宽度on-statepulsewidth

T

on

1

T/CASAS052—2025

被测器件在测试中处于开启的脉冲宽度。

器件漏源两端峰值电压peakdrainvoltage

V

PEAK

UIS电应力测试时，被测器件漏极相对源极的电压峰值。

UIS测试电流预设值currentpresetinUISp