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基于第一性原理的二维横向异质结构电子与光学特性探秘.docx

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    基于第一性原理的二维横向异质结构电子与光学特性探秘

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在材料科学的快速发展进程中，二维材料由于其独特的原子结构和电子特性，展现出了在众多领域的巨大应用潜力，成为了科研领域的研究热点之一。这类材料通常只有原子级别的厚度，具有极高的比表面积、优异的电学、光学和力学性能，为解决传统材料在某些应用中的局限性提供了新的途径。

    从电子学领域来看，二维材料如石墨烯，拥有超高的载流子迁移率，理论上可达200,000cm2/(V?s)，这一特性使其有望成为下一代高性能晶体管的关键材料，能够显著提升芯片的运行速度并降低能耗。二硫化钼（MoS?）等二维半导体材料，具备合适的带隙

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