(完整版)直接和间接带隙半导体课件资料.pptVIP

直接和间接带隙半导体;主要内容;什么是半导体;半导体的导电性;半导体的能带分布结构;什么是带隙？;本征光的吸收;两种跃迁方式

;2.非竖直跃迁（间接光吸收过程）

对应于导带边和价带边在k空间不同点的情况

;直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）;间接带隙半导体;直接带隙半导体的重要性质;价带顶部电子的波矢2π/a~108cm-1

因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。

一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。

Indirectgapsemiconductor

另一方面,对于间接跃迁型，导带的电子需要动量与价带空穴复合。

非竖直跃迁（间接光吸收过程）

对应于导带边和价带边在k空间不同点的情况

价带顶部电子的波矢2π/a~108cm-1

间接带隙半导体：Ge,Si等

导带上的电子和价带上的空穴决定了半导体的导电能力。

从上世纪五十年代开始，以硅(Si)材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路(IC)为核心的微电子领域的迅速发展。

即光子提供电子跃迁所需的能量，声子提供跃迁所需要的动量

竖直跃迁（直接光吸收过程）

而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。

主要半导体器件所用材料及原理

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。;半导体应用;主要半导体器件所用材料及原理;展望;首先要把固体物理学好。

它们在光通信和光信息处理等领域起到了不可替代的作用，并由此带来家用VCD、DVD和多媒体技术的飞速发展。

对应于导带底和价带顶在k空间相同点的情况

化合物半导体材料在品种上、品质上将会得到进一步的发展，重点将是GaAs、InP、GaN等

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

跃迁需满足准动量守恒

主要半导体器件所用材料及原理

而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。

另一方面,对于间接跃迁型，导带的电子需要动量与价带空穴复合。

半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体,换句话说半导体是导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

间接带隙半导体：Ge,Si等

光子能量满足的条件是：

电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

跃迁需满足准动量守恒

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

非竖直跃迁（间接光吸收过程）

对应于导带边和价带边在k空间不同点的情况

新技术、新材料、新结构、新现象

导带上的电子和价带上的空穴决定了半导体的导电能力。;半导体的发展;半导体发展展望;;感谢观看