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*MOS电容的计算(续)当Vds增加时,L?增大,Ids增加,那是因为载流子速度增加了,它与C的分配无关。然而,L?的增大是由于漏极耗尽层宽度有所增加,增大了结电容。故,Cg=Cgs+2/3CCd=Cdb+0+?Cdb*深亚微米CMOSIC工艺的寄生电容(数据) Cap. N+Act. P+Act. Poly M1 M2 M3 UnitsArea(sub.) 526 937 83 25 10 8 fF/um2Area(poly) 54 18 11 fF/um2Area(M1) 46 17 fF/um2Area(M2)
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