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材料知识集成电路材料考试试卷

一、选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种材料常用于集成电路衬底？（）

A.铜B.硅C.铝D.铁

2.集成电路制造中，光刻胶的作用是（）

A.蚀刻材料B.绝缘C.确定电路图形D.散热

3.下列哪种不是集成电路互连金属材料（）

A.金B.钨C.钛D.碳

4.硅片表面的氧化层主要作用不包括（）

A.电绝缘B.提高芯片散热C.保护硅片D.作为掩膜

5.化学机械抛光（CMP）主要用于（）

A.去除杂质B.平坦化芯片表面C.蚀刻图形D.沉积薄膜

6.氮化硅在集成电路中常用作（）

A.衬底B.互连材料C.介质隔离层D.光刻胶

7.以下哪种元素常作为P型半导体的掺杂剂（）

A.磷B.硼C.砷D.锑

8.集成电路制造中，干法蚀刻相比湿法蚀刻的优点是（）

A.蚀刻速率快B.蚀刻精度高C.设备简单D.成本低

9.多晶硅在集成电路中的一个重要用途是（）

A.制作晶体管栅极B.作为散热材料C.充当衬底D.连接电路

10.用于集成电路光刻的光源波长越短，光刻分辨率（）

A.越高B.越低C.不变D.不确定

11.以下哪种材料不是常用的集成电路封装材料（）

A.陶瓷B.塑料C.玻璃D.金属

12.集成电路制造中，外延生长的目的是（）

A.增加硅片厚度B.改变硅片表面晶体结构C.提高硅片纯度D.制造不同掺杂的硅层

13.哪种材料的导电性最好，常用于集成电路的互连线（）

A.铝B.铜C.银D.金

14.光刻过程中，掩膜版的作用是（）

A.保护光刻胶B.提供电路图形模板C.控制蚀刻深度D.加热硅片

15.以下哪种气体在集成电路制造中常用作保护气（）

A.氧气B.氢气C.氮气D.氯气

二、判断题（每题1分，共10分）

1.硅是集成电路中唯一可用的衬底材料。（）

2.光刻胶曝光后，其溶解性一定增强。（）

3.铝的导电性比铜好，所以更适合做集成电路互连线。（）

4.氧化硅层在集成电路中只起到绝缘作用。（）

5.化学机械抛光能使芯片表面达到原子级平整。（）

6.N型半导体的多数载流子是电子。（）

7.干法蚀刻不存在蚀刻选择比的问题。（）

8.多晶硅的性能和单晶硅完全一样。（）

9.封装材料对集成电路的性能没有影响。（）

10.外延生长只能在硅衬底上进行。（）

三、填空题（每题2分，共20分）

1.集成电路制造中常用的光刻技术包括紫外光刻、深紫外光刻和________光刻。

2.常用的半导体掺杂方法有离子注入和________。

3.集成电路互连金属材料需要具备良好的导电性、________和抗电迁移能力。

4.硅片表面生长氧化层的方法有热氧化和________。

5.光刻胶按曝光后溶解性变化分为正性光刻胶和________光刻胶。

6.蚀刻工艺可分为干法蚀刻和________蚀刻。

7.集成电路封装形式有双列直插式封装（DIP）、________和球栅阵列封装（BGA）等。

8.用于制造集成电路的硅片要求具有高纯度和完美的________结构。

9.化学机械抛光过程中涉及化学作用和________作用。

10.为了提高集成电路的集成度，需要不断________芯片特征尺寸。

四、简答题（每题10分，共20分）

1.简述集成电路制造中光刻技术的基本原理。

光刻技术是利用光刻胶对特定波长光的感光特性，将掩膜版上的电路图形通过曝光转移到涂有光刻胶的硅片表面。光刻胶经曝光、显影后，在硅片上留下与掩膜版对应的图形，为后续的蚀刻、掺杂等工艺提供精确的图形模板，从而实现集成电路的图案化制造。

2.说明集成电路封装的主要作用。

集成电路封装主要有保护芯片免受外界环境影响，如机械冲击、湿气、化学物质侵蚀等；实现芯片与外部电路的电气连接，为芯片提供电源和信号传输通道；还有利于芯片散热，保证芯片在正常工作温度范围内稳定运行，同时便于芯片安装和测试。

答案

一、选择题

1.B2.C3.D4.B5.B6.C7.B8.B9.A10.A11.C12.D13.B14.B15.C

二、判断题

1.×2.×3.×4.×5.×6.√7.×8.×9.×10.×

三、填空题

1.极紫外（EUV）2.扩散掺杂3.附着力4.化学气相沉积（CVD）氧化5.负性6.湿法7.表面贴装封装（SMT）8.晶体9.机械研磨10.减小