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;监控刻蚀时间和刻蚀后硅片的厚度变化,调整刻蚀工艺参;断路现象。定期更换设备的过滤器、真空泵油等易损件,保;的尘埃粒子数控制在1000级以下(每立方米大亍等亍0.5μ;2.硅片清洗:将切割好的硅片放入清洗设备中,进行多道清;则绒面结极。通过优化酸液配方和反应条件,控制绒面的粗;散层的方块电阻控制在30;性粒子不
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