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2025《芯片封装级失效问题研究的国内外文献综述》4800字.docx

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    芯片封装级失效问题研究的国内外文献综述

    1.1键合线故障

    IGBT模块中IGBT芯片和FRD芯片通过键合线连接。键合线在IGBT模块工作时承担着电流的通路，通常采用铝(Al)作为键合线的材料。由于一根键合线的通流和承载能力有限，模块中一般有多个键合线并联一起分担电流，即使某根键合线发生故障时，也可以由其他键合线进行通流。键合线作为IGBT模块中薄弱的部位之一，由于芯片表面温度较高，键合引脚处应力较大，在长时间的工作条件下会导致键合线出现脱落甚至断裂的情况REF_Re\r\h\#[0[5-REF_Re\r\h\#0]7]。

    为了搞清

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