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STM32F1系列的嵌入式Flash存储器

嵌入式Flash存储器概述

嵌入式Flash存储器是STM32F1系列微控制器的一个重要组成部分，它用于存储程序代码、常量数据和用户数据。与传统的外部Flash存储器相比，嵌入式Flash存储器具有更高的访问速度和更低的功耗，使得STM32F1系列单片机在性能和功耗方面具有显著优势。

Flash存储器的结构

STM32F1系列的嵌入式Flash存储器通常分为两个区域：系统存储器和用户存储器。系统存储器用于存储Bootloader和一些预编程的固件，用户存储器则用于存储用户自定义的程序和数据。

系统存储器：位于地址范围0x1FFFF000到0x1FFFF800，主要用于存储Bootloader。

用户存储器：位于地址范围00x080FFFFF（具体大小取决于不同的芯片型号），用于存储用户程序和数据。

Flash存储器的特性

访问速度：嵌入式Flash存储器的访问速度非常快，通常可以达到几十纳秒的读取时间。

耐用性：Flash存储器的擦写寿命一般为10,000次，数据保持时间可达20年。

低功耗：在待机模式下，Flash存储器的功耗非常低，有助于延长电池寿命。

编程单元：STM32F1系列的Flash存储器以半页（128字节）为单位进行擦除，以字（16位）为单位进行编程。

Flash存储器的操作

Flash存储器的编程

Flash存储器的编程是指将数据写入Flash存储器的过程。STM32F1系列提供了专门的编程接口和库函数来实现这一功能。编程前需要进行一些准备工作，包括解锁Flash存储器、配置编程参数等。

解锁Flash存储器

在进行任何Flash操作之前，必须先解锁Flash存储器。解锁操作通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）的锁位来完成。

//解锁Flash存储器

voidFLASH_Unlock(void){

//使能Flash接口

FLASH-ACR|=FLASH_ACR_PRFTBE;

//解锁Flash编程/擦除操作

FLASH-KEYR=FLASH_KEYR_KEY1;

FLASH-KEYR=FLASH_KEYR_KEY2;

}

锁定Flash存储器

完成Flash操作后，应锁定Flash存储器以防止意外的编程或擦除操作。

//锁定Flash存储器

voidFLASH_Lock(void){

//锁定Flash编程/擦除操作

FLASH-CR|=FLASH_CR_LOCK;

}

Flash存储器的操作

Flash存储器的编程

Flash存储器的编程是指将数据写入Flash存储器的过程。STM32F1系列提供了专门的编程接口和库函数来实现这一功能。编程前需要进行一些准备工作，包括解锁Flash存储器、配置编程参数等。

解锁Flash存储器

在进行任何Flash操作之前，必须先解锁Flash存储器。解锁操作通过设置Flash控制寄存器（FLASH_CR）的锁位来完成。

//解锁Flash存储器

voidFLASH_Unlock(void){

//使能Flash接口

FLASH-ACR|=FLASH_ACR_PRFTBE;

//解锁Flash编程/擦除操作

FLASH-KEYR=FLASH_KEYR_KEY1;

FLASH-KEYR=FLASH_KEYR_KEY2;

}

锁定Flash存储器

完成Flash操作后，应锁定Flash存储器以防止意外的编程或擦除操作。

//锁定Flash存储器

voidFLASH_Lock(void){

//锁定Flash编程/擦除操作

FLASH-CR|=FLASH_CR_LOCK;

}

Flash存储器的擦除

Flash存储器的擦除是指清除已编程的数据，使其恢复到初始状态。STM32F1系列支持多种擦除操作，包括擦除整个存储器、擦除指定的半页或擦除指定的扇区。

擦除整个Flash存储器

//擦除整个Flash存储器

voidFLASH_EraseAll(void){

FLASH_Unlock();

//设置擦除整个存储器标志

FLASH-CR|=FLASH_CR_ERASE;

//启动擦除操作

FLASH-CR|=FLASH_CR_STRT;

//等待擦除完成

while(FLASH-SRFLASH_SR_BSY);

//清除所有标志