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2025《MoC合金4H-SiC肖特基二极管研究概述》2800字.doc

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    MoC合金4H-SiC肖特基二极管研究概述

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    TOC\o1-3\h\u5846MoC合金4H-SiC肖特基二极管研究概述 1

    147941.1不同退火温度下的I-V特性 1

    118441.2不同退火温度下的C-V特性 4

    176711.3肖特基二极管的表征分析 6

    162851.4二极管的击穿特性研究 7

    1.1不同退火温度下的I-V特性

    将样品分别置于600、700、800、900、1000℃下进行1min的高温退火，绘制出各退火温度下的I-V特性曲线，探究退火处理对碳化硅肖特基二极管电学特性的影响。

    图4-1Mo-C合金/4H-SiC肖特基接

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