基于氧化石墨烯掺杂多壁碳纳米管忆阻器的存储电路研究.docxVIP

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2025-07-20 发布于中国
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基于氧化石墨烯掺杂多壁碳纳米管忆阻器的存储电路研究.docx

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基于氧化石墨烯掺杂多壁碳纳米管忆阻器的存储电路研究

一、引言

随着信息技术的快速发展，非易失性存储器（NVM）的需求持续增长。其中，忆阻器因其独特的电阻记忆特性而受到广泛关注。本文针对一种新型的存储电路——基于氧化石墨烯掺杂多壁碳纳米管（GrapheneOxide-DopedMulti-WalledCarbonNanotube，简称GO-MWCNTs）的忆阻器进行深入研究。此项技术利用碳纳米管的优越导电性和氧化石墨烯的优异物理性质，展现出非凡的存储能力和可靠性。本文首先阐述研究背景，随后提出此存储电路的研究目的和意义。

二、GO-MWCNTs忆阻器的工作原理

GO-MWCNTs忆阻器是