NXP 系列：LPC1114 系列 (低功耗)_（6）.存储器架构.docxVIP

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存储器架构

在嵌入式系统设计中，存储器架构是一个至关重要的部分。LPC1114系列单片机采用了高效的存储器架构，旨在优化性能和功耗。本节将详细介绍LPC1114的存储器架构，包括其各类存储器的类型、大小、访问速度以及如何高效地使用这些存储器资源。

1.内部存储器

LPC1114系列单片机配备了多种内部存储器，包括闪存（FlashMemory）、静态随机存取存储器（SRAM）和寄存器（Registers）。

1.1闪存(FlashMemory)

闪存是LPC1114系列单片机的主要程序存储区域。LPC1114提供了32KB的闪存，用于存储用户程序和常量数据。闪存的特点是是非易失性的，即断电后数据不会丢失。

1.1.1闪存结构

闪存被分为多个块，每个块可以独立擦除。LPC1114的32KB闪存通常被分为128个256字节的块。这种结构使得程序更新和数据擦除更加灵活高效。

1.1.2闪存访问

闪存的访问速度相对较慢，但LPC1114通过使用内部缓存（Cache）来加速代码执行。缓存会预取和存储常用代码片段，从而减少闪存访问的频率，提高整体运行效率。

1.1.3闪存编程

闪存编程通常通过片上编程器（ISP）和在线编程（IAP）两种方式进行。ISP是通过UART接口进行编程，而IAP则是在运行过程中通过软件调用编程函数来更新闪存内容。

示例代码：在线编程(IAP)

#includeLPC11xx.h

//IAP命令代码

#defineIAP_CMD_PREPARE50

#defineIAP_CMD_ERASE51

#defineIAP_CMD_PROGRAM52

#defineIAP_CMD_READPART53

#defineIAP_CMD_READUID54

#defineIAP_CMD_COMPCODE55

//IAP函数指针

typedefvoid(*IAP)(uint32_tcommand,uint32_tparam1,uint32_tparam2,uint32_tparam3,uint32_tparam4,uint32_t*result);

//获取IAP函数指针

staticIAPiap_entry=(IAP)0x1FFF1FF1;

voidprepare_flash(uint32_tstart_address,uint32_tend_address){

uint32_tresult[5];

iap_entry(IAP_CMD_PREPARE,start_address,end_address,0,0,result);

if(result[0]!=0){

//准备失败

while(1);

}

}

voiderase_flash(uint32_tstart_address,uint32_tend_address){

uint32_tresult[5];

iap_entry(IAP_CMD_ERASE,start_address,end_address,0,0,result);

if(result[0]!=0){

//擦除失败

while(1);

}

}

voidprogram_flash(uint32_taddress,uint32_tdata){

uint32_tresult[5];

iap_entry(IAP_CMD_PROGRAM,address,data,0,0,result);

if(result[0]!=0){

//编程失败

while(1);

}

}

intmain(){

//准备闪存块

prepare_flash(00x000000FF);

//擦除闪存块

erase_flash(00x000000FF);

//编程闪存

program_flash(00;

//程序运行

while(1){

//主循环

}

}

1.2静态随