STMicroelectronics 系列：STM32L5 系列 (低功耗)_5.存储器和外围设备配置.docxVIP

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5.存储器和外围设备配置

在STM32L5系列单片机中，存储器和外围设备的配置是系统设计和优化的关键部分。本节将详细介绍如何配置片上存储器和各种外围设备，以实现高效、低功耗的应用。

5.1存储器配置

5.1.1Flash存储器配置

STM32L5系列单片机配备了大容量的Flash存储器，用于存储程序代码和常量数据。Flash存储器的配置通常涉及以下几个方面：

Flash大小和分区：了解Flash存储器的大小和分区，以便合理分配代码和数据。

读取速度：配置Flash的读取速度，以优化程序运行性能。

擦除和编程：了解如何擦除和编程Flash存储器，以便在开发过程中进行更新和调试。

5.1.1.1Flash大小和分区

STM32L5系列单片机的Flash存储器大小通常为512KB或1MB。Flash存储器被分为多个扇区，每个扇区的大小不同。例如，STM32L552ZE的Flash存储器分为16个128KB的扇区，外加一个64KB的系统存储器扇区。

//STM32L552ZEFlash存储器分区

#defineFLASH_SIZE(1024*1024)//1MB

#defineFLASH_SECTOR_SIZE(128*1024)//128KB

#defineFLASH_SYSTEM_SECTOR(64*1024)//64KB

5.1.1.2读取速度

Flash存储器的读取速度可以通过配置Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）来优化。通常，可以通过设置等待状态周期（WS）来调整读取速度。

//配置Flash读取速度

voidconfigure_flash_read_speed(void){

//设置等待状态周期为2个周期

FLASH-ACR=(FLASH-ACR~FLASH_ACR_LATENCY_Msk)|FLASH_ACR_LATENCY_2WS;

//启用Flash读取加速

FLASH-ACR|=FLASH_ACR_PRFTEN;

}

5.1.1.3擦除和编程

Flash存储器的擦除和编程操作通常通过Flash编程接口（FPIF）来实现。以下是一个示例代码，展示了如何擦除和编程Flash存储器。

//擦除Flash扇区

voiderase_flash_sector(uint32_tsector){

//解锁Flash编程接口

HAL_FLASH_Unlock();

//清除所有Flash错误标志

__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGAERR|FLASH_FLAG_SIZERR|FLASH_FLAG_OPTVERR|FLASH_FLAG_RDPERR|FLASH_FLAG_RDERR);

//设置擦除参数

FLASH_EraseInitTypeDefEraseInitStruct;

EraseInitStruct.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

EraseInitStruct.Sector=sector;

EraseInitStruct.NbSectors=1;

EraseInitStruct.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

//执行擦除操作

uint32_tsectorError=0;

HAL_StatusTypeDefstatus=HAL_FLASHEx_Erase(EraseInitStruct,sectorError);

//锁定Flash编程接口

HAL_FLASH_Lock();

if(status!=HAL_OK){

//处理擦除错误

while(1){

//Errorhandling

}

}

}

//编程Flash存储器

voidprogram_flash(uint32_taddress,uint32_tdata){

//解锁Flash编程接口

HAL_FLASH_Unlock(