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CN109962054B 具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置.docxVIP

CN109962054B 具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置.docx

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    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN109962054B(45)授权公告日2025.04.08

    (21)申请号201811215891.7

    (22)申请日2018.10.18

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109962054A

    (43)申请公布日2019.07.02

    (30)优先权数据

    10-2017-01783612017.12.22KR

    (73)专利权人三星电子株式会社地址韩国京畿道

    (72)发明人崔珉准权杜原金宽植宋泰荣尹惺铉

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