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CMOS工艺集成3D霍尔传感器的研究与设计
一、引言
随着微电子技术的飞速发展,集成电路的集成度和性能不断提升,其中,3D霍尔传感器作为一种重要的传感器件,在众多领域中发挥着重要作用。CMOS工艺因其低成本、高集成度等优势,成为集成3D霍尔传感器的理想选择。本文将重点研究并设计一种基于CMOS工艺集成的3D霍尔传感器,以期提高传感器的性能和可靠性。
二、CMOS工艺概述
CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺是一种常用的微电子制造技术,具有低成本、高集成度、低功耗等优点。在集成3D霍尔传感器时,CMOS工艺可以提供良好的兼容性和灵活性。通过CMOS工艺,可以实现传感器的高精度制造和批量生产,满足
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