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p-LDDImplant26、第六层掩膜:光刻p-LDD注入区27、p-LDD注入:BF2离子低能、浅结注入SideWallSpacerFormation28、淀积SiO2层:1000?二氧化硅层;29、SiO2层反刻:先进的各向异性的等离子刻蚀机; 无需光刻、并实现侧壁n+Source/DrainImplant30、第七层光刻:n+源/漏注入区光刻;31、源/漏注入:“中”能量As离子注入;实现自对准。p+Source/DrainImplant32、第八层光刻:p+源/漏注入区光刻;33、源/漏注入:“中”能量B离子注入;实现自对准。3
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