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模拟版图试题带答案

1.在版图设计中，以下哪种文件格式通常用于保存版图数据？

A.GDSII

B.JPEG

C.PNG

D.BMP

答案：A

2.版图设计中，MOS管的源极通常用哪个字母表示？

A.D

B.G

C.S

D.B

答案：C

3.下列哪个步骤不属于版图设计的流程？

A.逻辑综合

B.布局布线

C.DRC检查

D.LVS验证

答案：A

4.在CMOS工艺中，NMOS管的衬底通常连接到什么电位？

A.VDD

B.VSS

C.输入信号

D.浮空

答案：B

5.版图设计中，金属层的编号通常从哪个数字开始？

A.0

B.1

C.-1

D.任意数字

答案：B

6.LVS（LayoutVersusSchematic）验证的主要目的是什么？

A.检查版图的制造性

B.检查版图的电气特性是否与原理图一致

C.优化版图的布线

D.提高版图的美观度

答案：B

7.在版图设计中，多晶硅电阻通常位于哪一层？

A.Metal1

B.Poly

C.Diff

D.Contact

答案：B

8.DRC（DesignRuleCheck）检查的主要内容不包括以下哪一项？

A.线宽检查

B.线间距检查

C.电源网络完整性

D.器件方向检查

答案：C

9.版图设计中，通孔（Via）的主要作用是什么？

A.连接不同金属层

B.形成电阻

C.构成电容

D.隔离不同金属层

答案：A

10.在CMOS工艺中，PMOS管的栅极材料通常是什么？

A.多晶硅

B.单晶硅

C.金属

D.氧化物

答案：A

11.版图设计中，为了减小寄生电容，通常采取什么措施？

A.增加金属层的厚度

B.增大金属线间距

C.使用高层金属

D.减小金属线宽度

答案：B

12.LER（LineEdgeRoughness）对芯片性能的影响主要体现在哪一方面？

A.功耗增加

B.延时增加

C.良率下降

D.可靠性降低

答案：B

13.在版图设计中，N阱和P阱通常位于哪一层？

A.Well

B.Diff

C.Poly

D.Metal1

答案：A

14.DFM（DesignForManufacturing）的主要目标是什么？

A.提高芯片性能

B.优化版图设计以提高制造良率

C.减小芯片面积

D.降低制造成本

答案：B

15.版图设计中，为了减小IRDrop，通常采取什么措施？

A.增大电源线宽度

B.减小地线宽度

C.增加通孔数量

D.使用低阻值材料

答案：A

16.在CMOS工艺中，防止闩锁效应（Latch-Up）的主要方法是什么？

A.增加衬底接触

B.减小栅极长度

C.使用高层金属

D.提高电源电压

答案：A

17.版图设计中，金属线的电流承载能力主要取决于什么因素？

A.金属线的长度

B.金属线的宽度

C.金属线的材料

D.金属线的形状

答案：B

18.ERC（ElectricalRuleCheck）检查的主要内容不包括以下哪一项？

A.未连接的网络

B.电源和地网络的连接性

C.器件的电气参数

D.版图的几何形状

答案：D

19.在版图设计中，为了减小衬底噪声，通常采取什么措施？

A.增加衬底接触

B.减小栅极长度

C.使用低K材

料

D.提高电源电压

答案：A

20.版图设计中，天线效应可能导致什么问题？

A.栅极氧化层击穿

B.电源网络短路

C.地网络开路

D.信号传输延迟

答案：A

21.在CMOS工艺中，为了形成N+源/漏区，通常使用什么离子注入工艺？

A.磷离子注入

B.硼离子注入

C.砷离子注入

D.锑离子注入

答案：A

22.版图设计中，为了优化信号完整性，通常采取什么措施？