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CN110600471B 具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法.pdfVIP

CN110600471B 具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法.pdf

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    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN110600471B

    (45)授权公告日2025.02.21

    (21)申请号201910249427.8(51)Int.CI.

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