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半导体存储器;4.1.1存储器的分类:外存和内存

按存储器载体分类

（1）磁介质存储器

速度较慢，一般用作外存。如磁盘、磁带等。

（2）半导体存储器

容量大，速度快，体积小，功耗低，广泛用于大、中、小及微型机中作内存

（3）光存储器

速度快，但需复杂的硬件，主要用作外存;4.1.2半导体存储器的分类;4.1.3半导体存储器的主要技术指标

1．存储容量——指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。通常以单元数×数据线位数表示。

2114：1K?4

6264：1K?8=1KB，1MB=210KB

2．存取速度

用存取时间来衡量，存取时间指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。

存取时间：超高速存储器：小于20ns；中速：100~200ns；低速：300ns以上;4.2随机读写存储器（RAM）

4.2.1静态RAM

1.静态RAM的基本存储电路

MOS型静态RAM的基本存储单元通常由六个MOS场效应晶体管构成，只要不切断电源，其写入的数据可长期保留，且不需动态刷新。;1)写入过程

选择线为高电平，T5、T6导通

写入‘1’：则I/O=1，I/O#=0，它们经T5、T6加到A、B点，使T1截止，T2导通，使A=1，B=0，进入“1”状态。

写入‘0’：I/O线为“0”，I/O#上为“1”，使得T1导通，T2截止，达到“0”稳态。;2）读出过程：

经地址译码后选中此电路（单元），即选择线上为高电平。这时，由于A与I/O线通，B与I/O#线通，所以I/O线上的状态即要读出的数据。

这种电路，当读出之后，原存储的数据完好不变，称为非破坏性读出。;2．静态RAM的结构

将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成了一个静态RAM存储器。

;典型的SRAM6116：2KB，A0~A10，D0~D7形成128*16*8（每8列组成看作一个整体操作）的阵列;典型的SRAM芯片6264(8KB);4.2.2动态RAM

1．动态RAM存储电路;2.动态RAM举例Intel2164A

容量：64K*1bit

引脚：A0~A7，D，RAS，CAS

由行地址选通信号RAS，把先送来的8位地址送至行地址锁存器，由随后出现的列地址选通信号CAS把后送来的8位地址送至列地址锁存器。;3.高集成度DRAM

SDRAM同步动态随机访问存储器

（1）DDRSDRAM双倍率SDRAM

(2)DDR24倍速

(3)DDR3

(4)RDRAM突发存取的高速DRAM

4.内存条

(1)72引脚的DRAM-SIMM

(2)168引脚的SDRAM-DIMM

(3)184引脚的DDR-SDRAM-DIMM;高集成度DRAM和内存条;4.2.3双口RAM

多处理机应用系统中的相互通信

(1)双端口RAM：用于高速共享数据缓冲器系统中，公共全局存储器

(2)VRAM：图形图像显示中，加速视频图像处理

(3)FIFO：用于高速通信系统、图像图形处理、DSP和数据采集系统以及准周期性突发信息缓冲系统的先进先出存储器

(4)MPRAM：多CPU系统的共享存储器。;2.双端口RAM举例

CY7C130/131/140/141

1K*8bit高速双端口SRAM

A0~A9：地址线

I/O0~I/O7：数据线

CE#：片选

OE#：输出允许线

R/W#：读写控制

BUSY#：

INT#：;4．3半导体只读存储器（ROM）;4.3.2可编程的只读存储器PROM

只能写入一次。;4.3.3可编程、可擦除的只读存储器EPROM

擦除：用12mW／cm2的紫外线（或X射线）相距3cm，进行照射10～20min，擦除原存信息，成为全1状态。

写入：使用专门的写入器（也叫编程器）用加电压的手段使要存入“0”的那些存储位进行写“0”，而对要存“1”的存储位不加电压，仍保存原有的“1”代码。

;常用的EPROM：Intel2716（2KX8），2732（4KB），2764(8KB)，27128(16KB)，27256(32KB)

典型EPROM2764A芯片介绍

;11.5~12.5V;图4.152764A编程时的波形;4.3.3电可改写的、可重编程的只读存储器EEPROM

擦除时让电流只通过指定的存储单元，把其中一个字（或字节）擦去并改写。;1.并行EEPROM;(1)2816DIP24;(2)2817ADIP28;(3)2864AEEPROMDIP28;（1）二线制串行I2CEEPROM24C01

二