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光子芯片制造光刻技术突破
一、光子芯片制造的技术背景与挑战
(一)光刻技术在半导体产业的核心地位
光刻技术作为芯片制造的基石,决定了集成电路的制程精度与性能极限。传统硅基芯片依赖深紫外光刻(DUV)技术,其193nm波长已逼近物理极限。根据国际半导体技术路线图(ITRS)数据,2022年全球先进制程芯片中,7nm以下节点占比达38%,但伴随制程微缩,量子隧穿效应和热耗散问题日益严重,亟需技术突破。
(二)光子芯片带来的范式变革
光子芯片利用光子替代电子传输信息,具备超低延迟、高带宽和抗电磁干扰等特性。2023年麻省理工学院(MIT)实验表明,光子芯片在数据中心场景下能效比提升达60倍。然而,其
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