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三极管的命名和参数

半导体器件的命名方式第一部分数字字母字母(汉拼)数字字母(汉拼)电极数材料和极性器件类型序号规格号3—三极管第二部分第三部分X—低频小功率管G—高频小功率管D—低频大功率管A—高频大功率管第四部分第五部分例：3AX313DG12B3DD6PNP低频小功率锗三极管NPN高频小功率硅三极管NPN低频大功率硅三极管3CG3AD3DKPNP高频小功率硅三极管PNP低频大功率锗三极管NPN硅开关三极管D—硅材料NPNC—硅材料PNPA—锗材料PNPB—锗材料NPN

2.1.6半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管

1.电流放大系数，?当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为?IB，它引起集电极电流的变化量为?IC。?IC与?IB的比值称为动态电流(交流)放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下,可近似认为，但二者含义不同。电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。(1)直流参数

②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBOICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下ICBO是一个常数，所以又称为反向饱和电流。ECICBO

2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系ICEO=（1+）ICBO相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如下图所示。ECICEO饱和区截止区IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O3691243212.31.5放大区

1.集电极——基极反向饱和电流ICBO。反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。二、极间反向饱和电流2.集电极——发射极反向饱和电流ICEO。(2.1.7)

1.电流放大系数，?当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为?IB，它引起集电极电流的变化量为?IC。?IC与?IB的比值称为动态电流(交流)放大系数在输出特性曲线近于平行等距并且I