TZOIA-MEMS器件晶圆级气密封装漏率测试方法编制说明.pdfVIP

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《MEMS器件晶圆级气密封装漏率

测试方法》标准编制说明

《MEMS器件晶圆级气密封装漏率测试方法》标准起草组

2025年5月15日

1、标准范围。

本标准规定了MEMS器件晶圆级气密封装漏率的测试方法,包

括设备、测试环境、测试条件和测试步骤。

本标准适用于MEMS器件晶圆级气密封装漏率测试,也适用于

器件级封装的MEMS器件。

2、工作简况。

1

()任务来源

MEMS器件晶圆级气密封装漏率的测试方法标准项目来自于国

MEMS”

家重点研发计划“多尺寸兼容的多材料体系研发平台项目。

202411

自年月起,由北京大学牵头编制。

(2)编制背景和目的意义

MEMS器件体积小、重量轻、功耗低、性能优异,广泛用于航

空航天、物联网、自动驾驶等领域。国家出台一系列政策,不断加大

对MEMS传感器产业发展的支持,加强关键共性技术攻关,积极推

动创新成果商品化成果化等。2017年和2020年工信部发布的《智能

“”

传感器产业三年行动指南》和《工业强基重点产品、工艺一条龙应

用计划和示范项目》中,兼顾MEMS技术,针对关键环节重点基础

产品工艺,推动相关重点项目建设和技术突破。2021年颁布的《“十

四五”智能制造发展规划》将智能传感器制造作为发展关键词,要求

”2021

突破一批“卡脖子智能制造部件与装置。年工信部提出的《基

2021-2023

础电子元器件产业发展行动计划()年》要求重点发展小

型化、低功耗、集成化的新型MEMS传感器和智能传感器。

以MEMS陀螺、MEMS加速度计、MEMS麦克风、MEMS压力

传感器、MEMS振荡器等为代表的器件已经成为工业及消费类领域

系统的必配元件。随着上述器件在车载及可穿戴领域的爆发式应用,

对其可靠性的评价和测试需求变得十分迫切。尤其是封装漏率,直接

决定着器件的使用寿命。通常用等效漏率来描述上述泄露、渗透及释

气综合作用下的封装压力变化。通过漏率的测量,可以准确预计器件

的使用寿命,评估器件的设计合理性和工艺质量等,对MEMS器件

良率提升和可靠性应用具有重要意义。

由于MEMS器件通常含有可动微结构,为了保护结构不被沾污,

同时减小可动微结构的运动阻尼,通常对MEMS器件进行圆片级封

装(即零级封装)。目前对于非晶圆级封装的电子元件或真空系统,

有氦检、动态流导法等标准,但是这些已有标准并不适用于晶圆级封

装的MEMS器件,亟需开展相应标准的建立。

3

()主要工作过程

20248

年月,由北京大学牵头,初步成立了标准工作小组,根

据前期研究基础和国家重点研发计划项目的要求,初步确定了MEMS

器件晶圆级气密封装漏率的测试方法。

20249

年月,标准工作小组根据国家重点研发计划项目的要求,

针对MEMS器件晶圆级漏率指标要求,拟定了晶圆级漏率测试大纲。

202410

年月,标准工作组联系中关村标准化协会先进制造分会,

在分会的指导下,完成了标准初稿并研究了标准的推进工作计划。

202412

年月,中机生产力促进中心有限公司标准化专家到北大

与标准工作小组就标准制定流程和细节进行指导交流。

20252

年月,国家重点研发计划项目组在京组织相关专家对

MEMS器件晶圆级漏率测试方法大纲进行评审,并依据评审意见修

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