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碳化硅半导体器件复合陶瓷基板制备工艺优化研究

目录

内容概要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.2国内外研究现状分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.3研究内容与方法概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7

理论基础与文献综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8

2.1碳化硅半导体材料特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

2.1.1物理特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

2.1.2化学特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

2.2陶瓷基板材料基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15

2.2.1陶瓷基板类型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16

2.2.2陶瓷基板性能要求．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19

2.3制备工艺技术发展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

2.3.1传统制备工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21

2.3.2先进制备技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．23

2.4相关领域研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24

2.4.1碳化硅半导体器件研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27

2.4.2陶瓷基板制备工艺研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28

实验材料与设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29

3.1主要原材料介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30

3.1.1碳化硅粉末．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31

3.1.2陶瓷基体材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33

3.2实验仪器设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34

3.2.1研磨设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36

3.2.2烧结设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．37

3.2.3测试设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38

碳化硅半导体器件复合陶瓷基板的制备工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．39

4.1前处理工艺设计．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．42

4.1.1清洗过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43

4.1.2表面改性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．44

4.2成型工艺研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．45

4.2.1浆料制备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．47

4.2.2成型方法选择．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49

4.3烧结工艺参数优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．51

4.3.1烧结温度控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53

4.3.2烧结气氛选择．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．54

4.4后处理工艺探究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．55

4.4.1脱脂处理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．