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(2025年)半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答

选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路？

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.以上都是

答案：D。硅是目前集成电路制造中应用最广泛的材料，具有丰富的资源、良好的电学性能和工艺兼容性；锗早期也用于半导体器件，但由于其热稳定性等方面不如硅，应用相对较少；砷化镓具有高电子迁移率等优点，常用于高速、高频等特殊领域的集成电路，所以以上三种材料都可用于制造集成电路。

2.芯片制造过程中，光刻工艺的主要作用是？

A.去除芯片表面杂质

B.在芯片上定义电路图案

C.增加芯片的导电性

D.提高芯片的散热性能

答案：B。光刻工艺是芯片制造中的关键步骤，它利用光刻胶和掩膜版，通过曝光和显影等过程，将掩膜版上的电路图案转移到半导体晶圆表面，从而在芯片上定义出所需的电路图案。去除芯片表面杂质一般通过清洗工艺；增加芯片导电性主要通过掺杂等工艺；提高芯片散热性能通常通过封装和散热结构设计等方式。

3.以下哪种晶体管结构是现代集成电路中最常用的？

A.BJT（双极结型晶体管）

B.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

C.JFET（结型场效应晶体管）

D.IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

答案：B。MOSFET具有功耗低、集成度高、易于制造等优点，是现代大规模集成电路中最常用的晶体管结构。BJT在某些功率放大等应用中有一定优势，但在大规模集成方面不如MOSFET；JFET虽然也是场效应晶体管，但应用范围相对较窄；IGBT主要用于高电压、大电流的功率转换领域。

4.半导体中的载流子包括？

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.离子

答案：C。在半导体中，存在两种载流子，即电子和空穴。电子带负电，空穴可以看作是带正电的粒子，它们在电场作用下都能定向移动形成电流。离子一般不参与半导体的导电过程。

5.芯片制造中的CMP（化学机械抛光）工艺的目的是？

A.提高芯片的表面平整度

B.增加芯片的厚度

C.改变芯片的晶体结构

D.降低芯片的电阻

答案：A。CMP工艺是一种用于平坦化芯片表面的技术，通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用，去除晶圆表面的凸起部分，使芯片表面达到高度的平整度，这对于后续的光刻、金属沉积等工艺非常重要。它不会增加芯片厚度，也不会改变芯片的晶体结构和降低芯片电阻。

6.以下哪个参数不是衡量半导体材料电学性能的重要指标？

A.电阻率

B.迁移率

C.禁带宽度

D.密度

答案：D。电阻率反映了半导体材料对电流阻碍作用的大小；迁移率表示载流子在电场作用下的运动速度；禁带宽度决定了半导体的导电特性和工作温度范围等，它们都是衡量半导体材料电学性能的重要指标。而密度是材料的物理性质，与半导体的电学性能关系不大。

7.在半导体器件中，PN结具有什么特性？

A.单向导电性

B.双向导电性

C.绝缘性

D.超导性

答案：A。PN结是由P型半导体和N型半导体结合形成的，当PN结正向偏置时，有较大的电流通过，表现为导通；当PN结反向偏置时，电流非常小，几乎不导通，即具有单向导电性。它不具备双向导电性、绝缘性和超导性。

8.芯片制造过程中的蚀刻工艺可分为？

A.湿法蚀刻和干法蚀刻

B.化学蚀刻和物理蚀刻

C.机械蚀刻和激光蚀刻

D.以上都不对

答案：A。蚀刻工艺是芯片制造中用于去除不需要的半导体材料的工艺，主要分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻利用化学溶液对半导体材料进行腐蚀；干法蚀刻则利用等离子体等手段进行蚀刻。化学蚀刻和物理蚀刻是更宽泛的概念，机械蚀刻和激光蚀刻在芯片制造中不是主要的蚀刻方式。

9.以下哪种存储器类型是非易失性存储器？

A.SRAM（静态随机存取存储器）

B.DRAM（动态随机存取存储器）

C.Flash存储器

D.以上都不是

答案：C。非易失性存储器是指在断电后数据不会丢失的存储器。SRAM和DRAM都是易失性存储器，在断电后数据会丢失。Flash存储器是一种非易失性存储器，常用于U盘、固态硬盘等存储设备。

10.半导体中的杂质可以分为？

A.施主杂质和受主杂质

B.金属杂质和非金属杂质

C.轻杂质和重杂质

D.以上都不对

答案：A。在半导体中，杂质可以分为施主杂质和受主杂质。施主杂质能够向半导体中提供电子，使半导体成为N型半导体；受主杂质能够接受电子，使半导体成为P型半导体。金属杂质和非金属杂质、轻杂质和重杂质的分类方式与半导体的电学性能关系不大。

填空题（每题3分，共30分）

1.半导体的导电性能介于导体和______之间。

答案：绝缘体。半导体的导电能力比导体弱，