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6月模拟电子技术模拟练习题(附答案)
一、单选题(共40题,每题1分,共40分)
1.试题:PN结的单向导电性是指()
A:加上合适的正向电压就导通
B:加上反向电压就导通
C:加上电压就导通
D:加上正向电压就导通
2.试题:CW7805表示输出电压为()
A:78V
B:8V
C:+5V
D:-5V
3.试题:对射极输出器而言,下列说法不正确的是()。
A:电压放大倍数大于1
B:带负载能力强
C:输出电阻高
D:输人与输出信号同相
4.试题:晶体三极管处于饱和状态时,晶体三极管工作()
A:与基极电流的变化无关,只取决于UCC和RC
B:随基极电流的增加而增加
C:随基极电流的增加而减小
D:以上答案均不正确
5.试题:二极管在反向截止区的反向电流()
A:随反向电压升高而急剧升高
B:基本保持不变
C:随反向电压升高而升高
D:随反向电压升高而减小
6.试题:工作在放大状态的NPN型三极管,其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为()。
A:UBE0,UBC0
B:UBE0,UBC0
C:UBE0,UBC0
D:UBE0,UBC0
7.试题:交流电通过整流电路后,所得到的电压是()。
A:平滑的直流电
B:交流电
C:脉动直流电
D:稳定的直流电
8.试题:集成运放有()。
A:两个输入端、一个输出端
B:一个输入端、两个输出端
C:两个输入端、两个输出端
D:一个输入端、一个输出端
9.试题:将方波变换为三角波的电路是()
A:减法电路
B:微分电路
C:积分电路
D:加法电路
10.试题:OCI与OTL功率放大电路静态时使功放管处于微导通是为了()
A:防止交越失真
B:防止饱和失真
C:增加输出功率
D:提高电源利用率
11.试题:在NPN型三极管放大电路中,各极电位关系是()。
A:VCVEVB
B:VCVBVE
C:VCVBVE
D:VCVEVB
12.试题:下列所示()不是造成虚焊的原因。
A:加热过度、重复焊接次数过多
B:焊锡固化前,用其他东西接触过焊点
C:以上答案均不正确
D:烙铁的撤离方法不当
13.试题:功率放大电路的转换效率是指()
A:三极管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
B:以上答案均正确
C:输出功率与三极管所消耗的功率之比
D:最大输出功率与电源提供的平均功率之比
14.试题:晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管()
A:基极电流不变
B:以上答案均不正确
C:集电极电压UCE上升
D:集电极电压UCE下降
15.试题:把一个二极管直接与一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接,该二极管()。
A:电流过大而烧坏
B:电流为零
C:击穿
D:电流正常
16.试题:以下哪一项为三极管的特性()
A:阻碍电流的作用
B:隔直通交
C:电流放大
D:单向导电性
17.试题:以下哪一项为电解电容符号()
A:H
B:R
C:C
D:F
18.试题:在单相半波整流电路中,如果负载电流为10A,则流经整流二极管的电流为()。
A:4.5A
B:10A
C:0
D:5A
19.试题:集成运放是一个高电压放大倍数()放大器。
A:变压器耦合多级
B:单级
C:直接耦合多级
D:阻容耦合的多级
20.试题:集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率越陡,则表示集成运放的()。
A:抑制漂移的能力越强
B:开环放大倍数越大
C:对放大倍数没有影响
D:闭环放大倍数越大
21.试题:变压器副边电压有效值为40V,桥式整流电路中二极管承受的最高反向电压为()。
A:20V
B:40V
C:56.6V
D:80V
22.试题:采用分压式偏置放大电路,下列说法正确的是()。
A:以上说法均不正确
B:带负载能力增强
C:起到稳定静态工作点的作用
D:提高了电压放大倍数
23.试题:乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的()边缘。
A:放大区
B:截止区
C:饱和区
D:截止区与饱和区
24.试题:稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻的作用时()。
A:提供偏流
B:限制电流和调压
C:只是调压
D:只是限制电流
25.试题:反向比例运算放大器实质上是()
A:深度电压并联负反馈
B:电压负反馈放大器
C:电流负反馈
D:深度电压串联负反馈
26.试题:当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A:前者正偏、后者也正偏
B:前者反偏、后者正偏
C:前者反偏、后者也反偏
D:前者正偏、后者反偏
27.试题:当硅二极管加上0.3V正向电压时,该二极管相当于()。
A:短路
B:很小的电阻
C:很大的电阻
D:正向导通
28.试题:加锡的顺序是()。
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