AGMsemi-AGM60P130H VER2.68宏盛微半导体64.pdf

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AGM60P130H

●GeneralDescription

PrutS

TheAGM60P130HcombinesadvancedtrenchMOSFETodcummary

technologywithalowresistancepackagetoprovide

extremelylowRS

D(ON)

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.Ω-0A

-60V5.5m13

●Features

TOrti

ouao

Cfign

-263Pinn

■Advancehighl

celdensiyTretnchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanes

chetted

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

ckgrrgInformaon

aeMakingandOrnti

Padei

ihtQuantity

iePackageReizeTapewd

ingDiceDevcelS

DeviceMarkev

0130H

0130HM6P

AGM6PAG

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