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AGMsemi-AGM1099D VER2.73宏盛微半导体65.pdf

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    AGM1099D

    ●GeneralDescription

    Producum

    TheAGM1099DcombinesadvancedtrenchtSmary

    MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

    toprovideextremelylowRDS(ON).

    ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVSSRSONID

    DD

    protectionapplications.

    ●Features100V94mΩ8A

    ■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

    TO-252PinConfiguration

    ■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

    ■LowGateChargeforfastswitching

    ■LowThermalresistance

    ■%

    100Avalanchetested

    ■100%DVDStested

    ●Application

    ■MB/VGAVcore

    nd

    ■SMPS2SynchronousRectifier

    ■POLapplication

    ■BLDCMotordriver

    PackageMk

    aringn

    adr

    Odei

    rngInfoma

    rtion

    DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

    AGM1099DAGM1099DTO-252330mm16mm2500

    sA)

    buatng(T25

    Table1.AsoluteMaximmRi℃

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