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AGM9N20D
●GeneralDescription
TheAGM9N20DcombinesadvancedtrenchMOSFET
ProducSutmmary
technologywithalowresistancepackagetoprovide
extremelylowRDS(ON).
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID
protectionapplications.
200V214mΩ9A
●Features
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology252in
TO-PConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PacgeMark
kaingandOrdennformat
rigIion
DeviceMDevieDeviReeTapQuantity
arkingccePackagelSizeewidth
AGM20DTO-252330mm16mm2500
AGM9N20D9N
Table1.AbsoluteMaximumRatngs(TA25)i
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSourVoltage(VGS0V）V
Drain-Sce200
VGSGate-SorVolage
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