AGMsemi-AGM9N20D VER2.65 低开宏盛微半导体15.pdf

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AGM9N20D

●GeneralDescription

TheAGM9N20DcombinesadvancedtrenchMOSFET

ProducSutmmary

technologywithalowresistancepackagetoprovide

extremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

200V214mΩ9A

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology252in

TO-PConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PacgeMark

kaingandOrdennformat

rigIion

DeviceMDevieDeviReeTapQuantity

arkingccePackagelSizeewidth

AGM20DTO-252330mm16mm2500

AGM9N20D9N

Table1.AbsoluteMaximumRatngs(TA25)i

SymbolParameterValueUnit

VDSourVoltage(VGS0V)V

Drain-Sce200

VGSGate-SorVolage

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