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(新)半导体复习参考试题(含答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种半导体材料的禁带宽度最大（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.金刚石（C）

答案：D

解析：常见半导体材料的禁带宽度，硅约为1.12eV，锗约为0.67eV，砷化镓约为1.43eV，而金刚石的禁带宽度约为5.5eV，所以金刚石的禁带宽度最大。

2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照强度D.电场强度

答案：B

解析：杂质半导体中，多数载流子是由杂质原子提供的，所以其浓度主要取决于杂质浓度。温度会影响载流子的热激发，但对多数载流子浓度影响相对较小；光照强度主要影响本征激发产生的载流子；电场强度主要影响载流子的运动速度，而不是浓度。

3.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）

A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄

答案：B

解析：PN结外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使得空间电荷区中的载流子可以继续扩散，空间电荷区变窄。

4.对于N型半导体，以下说法正确的是（）

A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子

B.空穴是多数载流子，电子是少数载流子

C.电子和空穴浓度相等

D.杂质原子提供空穴

答案：A

解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质，杂质原子提供电子，所以电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

5.场效应管是一种（）控制型器件。

A.电压B.电流C.功率D.频率

答案：A

解析：场效应管是通过栅源电压来控制漏极电流的，所以是电压控制型器件。而三极管是电流控制型器件。

6.以下哪个不是双极型晶体管的工作区域（）

A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区

答案：D

解析：双极型晶体管有放大区、截止区和饱和区三个工作区域。击穿区不是正常的工作区域，当晶体管进入击穿区时，可能会导致器件损坏。

7.若某半导体器件的伏安特性曲线呈现出单向导电性，则该器件可能是（）

A.电阻B.电容C.二极管D.电感

答案：C

解析：二极管具有单向导电性，即正向导通，反向截止。电阻的伏安特性是线性的，满足欧姆定律；电容和电感主要与交流信号的特性有关，不具有单向导电性。

8.在MOS管中，栅极与衬底之间是（）

A.直接相连B.通过金属相连C.绝缘的D.通过半导体相连

答案：C

解析：MOS管（金属-氧化物-半导体场效应管）中，栅极与衬底之间有一层绝缘的氧化物层，所以是绝缘的。

9.半导体中的载流子迁移率反映了（）

A.载流子的浓度B.载流子的运动速度C.载流子的扩散能力D.载流子在电场作用下的运动能力

答案：D

解析：载流子迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度，反映了载流子在电场作用下的运动能力。

10.当温度升高时，本征半导体的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

答案：A

解析：温度升高时，本征半导体中的价电子获得更多的能量，本征激发加剧，产生更多的电子-空穴对，从而使导电能力增强。

二、填空题（每题3分，共30分）

1.本征半导体中，电子浓度和空穴浓度______。

答案：相等

解析：本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。在本征激发过程中，每产生一个电子就会同时产生一个空穴，所以电子浓度和空穴浓度相等。

2.PN结的内电场方向是从______区指向______区。

答案：N；P

解析：PN结形成过程中，N区的电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，扩散后在交界面两侧形成了空间电荷区，产生内电场，其方向是从N区指向P区。

3.双极型晶体管具有______个PN结。

答案：2

解析：双极型晶体管由两个背靠背的PN结构成，分别是发射结和集电结。

4.场效应管按导电沟道可分为______沟道和______沟道两种类型。

答案：N；P

解析：场效应管根据导电沟道中载流子的类型不同，可分为N沟道场效应管（以电子为载流子）和P沟道场效应管（以空穴为载流子）。

5.半导体的导电性能介于______和______之间。

答案：导体；绝缘体

解析：导体具有良好的导电性能，绝缘体几乎不导电，而半导体的导电能力比导体弱，但比绝缘体强，介于两者之间。

6.杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。

答案：N；P

解析：N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质形成的，以电子为多数载流子；P型半导体是在本征半导