探寻GaN基器件欧姆接触的优化路径：从理论到实践.docx

探寻GaN基器件欧姆接触的优化路径：从理论到实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体器件技术持续进步的当下，氮化镓（GaN）凭借其大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子漂移饱和速度以及高热导率等突出特性，成为了第三代半导体材料中的佼佼者，备受科研人员和产业界的关注。这些优异的性能使得GaN基器件在高频、高功率以及高温环境下展现出了卓越的应用潜力。

在高频领域，5G通信的快速发展对射频器件提出了更高的要求。GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）因其在毫米波频段（24-40GHz）的出色表现，能够满足5G基站和终端设备对高频率的严格需求，从而成为了5G通信中不可或缺的关键器