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半导体制造技术考试题库(+答案)

一、选择题

1.以下哪种气体在半导体制造的化学气相沉积（CVD）工艺中常被用作硅源？（）

A.氮气（N?）

B.氢气（H?）

C.硅烷（SiH?）

D.氧气（O?）

答案：C

解析：在半导体制造的化学气相沉积（CVD）工艺中，硅烷（SiH?）是常用的硅源。氮气通常作为保护气；氢气可用于还原等过程；氧气主要用于氧化工艺等，所以答案选C。

2.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护硅片表面

B.形成电路图案

C.增加硅片的导电性

D.提高硅片的机械强度

答案：B

解析：光刻胶在光刻工艺中起着关键作用，它会根据掩膜版的图案被曝光，经过显影等步骤后，在硅片表面留下与掩膜版对应的图案，从而为后续的刻蚀等工艺形成电路图案，所以答案是B。它主要不是用于保护硅片表面、增加导电性和提高机械强度。

3.离子注入工艺中，离子的能量通常用（）来衡量。

A.伏特（V）

B.安培（A）

C.电子伏特（eV）

D.欧姆（Ω）

答案：C

解析：在离子注入工艺中，离子的能量通常用电子伏特（eV）来衡量。伏特是电压单位；安培是电流单位；欧姆是电阻单位，所以答案选C。

4.下列哪种刻蚀方法属于干法刻蚀？（）

A.湿法化学刻蚀

B.反应离子刻蚀（RIE）

C.电化学刻蚀

D.氧化层刻蚀

答案：B

解析：干法刻蚀是利用等离子体等进行刻蚀的方法，反应离子刻蚀（RIE）属于干法刻蚀。湿法化学刻蚀是使用化学溶液进行刻蚀；电化学刻蚀是利用电化学原理；氧化层刻蚀可以采用干法也可以采用湿法，但它不是刻蚀方法的分类，所以答案选B。

5.化学机械抛光（CMP）工艺的主要目的是（）

A.去除硅片表面的杂质

B.使硅片表面平整

C.增加硅片的厚度

D.改变硅片的晶体结构

答案：B

解析：化学机械抛光（CMP）工艺主要是通过化学和机械的共同作用，使硅片表面达到平整的效果，以满足后续工艺对表面平整度的要求。它不是主要用于去除杂质、增加厚度和改变晶体结构，所以答案选B。

6.在半导体制造中，用于制造MOSFET栅极的常用材料是（）

A.多晶硅

B.铝

C.铜

D.金

答案：A

解析：在半导体制造中，多晶硅是制造MOSFET栅极的常用材料。铝、铜常用于金属互连；金在半导体中使用较少，所以答案选A。

7.以下哪种清洗方法是利用超声波的空化效应来去除硅片表面的杂质？（）

A.兆声波清洗

B.湿法化学清洗

C.等离子体清洗

D.紫外线清洗

答案：A

解析：兆声波清洗是利用超声波的空化效应来去除硅片表面的杂质。湿法化学清洗是利用化学溶液清洗；等离子体清洗是利用等离子体与杂质反应；紫外线清洗是利用紫外线的能量，所以答案选A。

8.半导体制造中，外延生长是指（）

A.在硅片表面生长一层与衬底晶体结构相同的薄膜

B.在硅片表面生长一层绝缘层

C.在硅片表面生长一层金属层

D.对硅片进行热处理

答案：A

解析：外延生长是在硅片表面生长一层与衬底晶体结构相同的薄膜，这层薄膜的晶体结构与衬底有一定的取向关系。生长绝缘层和金属层有专门的工艺；热处理是对硅片进行加热处理等操作，所以答案选A。

9.光刻工艺中，曝光光源的波长越短，（）

A.分辨率越低

B.分辨率越高

C.对光刻胶的要求越低

D.光刻成本越低

答案：B

解析：在光刻工艺中，曝光光源的波长越短，分辨率越高。因为波长越短，能够分辨的最小特征尺寸越小。波长越短对光刻胶的要求越高，光刻成本也越高，所以答案选B。

10.离子注入后通常需要进行退火处理，其主要目的是（）

A.去除注入的离子

B.使注入的离子激活

C.增加硅片的硬度

D.降低硅片的温度

答案：B

解析：离子注入后进行退火处理的主要目的是使注入的离子激活，让它们进入晶格位置并发挥电学作用。退火不是去除注入的离子；与增加硅片硬度无关；离子注入后硅片温度不高，退火是加热过程，不是降低温度，所以答案选B。

二、填空题

1.半导体制造中常用的衬底材料是______。

答案：单晶硅

解析：单晶硅具有良好的电学性能和晶体结构，是半导体制造中最常用的衬底材料，它为后续的各种工艺提供了稳定的基础。

2.光刻工艺主要包括涂胶、______、显影等步骤。

答案：曝光

解析：光刻工艺是半导体制造中形成电路图案的关键工艺，一般依次包括涂胶、曝光、显影等步骤。涂胶是在硅片表面涂上光刻胶；曝光是让光刻胶在特定的光照下发生化学反应；显影是去除未反应或反应后的光刻胶部分，从而形成图案。

3.化学气相沉积（CVD）工艺根据反应类型可分为热CVD、______和等离子体增强CVD（PECVD）。

答案：光CVD

解析：化学气相沉积（CVD）工艺有多种分类方式，根