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磁性纳米线阵列：制备工艺与各向异性调控的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米科技的飞速发展，低维纳米材料因其独特的物理化学性质，在基础研究与应用领域展现出巨大潜力，成为众多科研工作者的研究焦点。其中，磁性纳米线阵列作为一种典型的低维纳米材料，由于其小尺寸效应、高长径比以及有序的阵列结构，呈现出与块体材料截然不同的优异性能，在多个领域展现出广阔的应用前景。

在磁存储领域，随着信息时代数据量的爆炸式增长，对存储设备的存储密度和性能提出了更高要求。磁性纳米线阵列凭借其大的长径比，能够提供较大的形状各向异性，有助于实现高存储密度，为解决当前磁存储技术面临的瓶颈问题带来了新的希望。如