TCAD仿真（工艺器件）.ppt

TCAD仿真工具的使用;主要内容;仿真工具：;仿真方式：;输入输出：;工艺仿真过程(以TSUPREM4为主干进行介绍);数据掩膜文件：;网格定义重要性：

网格定义技巧：

网格定义方法：;[DX.MAX=n][DX.MIN=n][DX.RATIO=n]

[LY.SURF=n][DY.SURF=n][LY.ACTIV=n][DY.ACTIV=n]

[LY.BOT=n][DY.BOT=n][DY.RATIO=n]

;手动添加网格;工艺步骤模拟;结构初始化;外延生长;掺杂定义：

淀积厚度、垂直方向网格数目：

;淀积;光刻胶曝光、移除已曝光光刻胶;工艺仿真;刻蚀〔TSUPREM4三种刻蚀方式〕;工艺仿真;离子注入;Table离子注入模型;热扩散;氧化及扩散模型的选择;ERFC|ERF1|ERF2|ERFG

ERFC最简单、仿真速度最快,适用于掺杂对氧化速率的影响可忽略的情况，在结构外表平整或近似平整的条件下也可用于局部氧化。

ERF1、ERF2是ERFG的子集。

ERFG模型适用于在氮化物覆盖下的硅外表生长氧化层。

氮化物层厚度与衬底外表氧化层厚度相比较，如果氮化物层厚度较小，那么选择ERF1模型；相反，那么选择ERF2模型。;VERTICAL|COMPRESS|VISCOELA|VISCOUS

VERTICAL模型适用于局部氧化及结构外表平整的氧化，不能用在沟道、多晶硅氧化。

COMPRESS把粘性流动及结构外表晶向变化的因素考虑在内，但不考虑应力的影响。

VISCOELA用了与COMPRESS相同的弹性系数，与VISCOUS模型相同的粘性系数与应力相关参数，能计算应力的粗略值。

VISCOUS能够精确地计算应力，但仿真速度很慢。;点缺陷模型;结构操作;裁剪、镜像对称当前结构;裁剪、镜像对称当前结构;添加电极;保存及输出;保存、读入;输出;结深打印及层次信息;一维浓度分布图;二维结构图;二维网格图;等浓度线绘制;阈值电压;结电容C-V特性;MOS电容C-V特性;形成步骤;掩膜板〔s4ex4m.tl1〕;网格定义及结构初始化;场区刻蚀;;场氧化及阈值调整;绘制网格图;绘制等浓度线;打印掺杂信息;栅的形成和LDD注入;绘图;侧墙及源/漏注入;接触孔和金属连线;绘图;形成完整结构;阈值电压;结电容C-V特性;MOS电容C-V特性;TSUPREM4演示;器件仿真之前的网格及边界条件优化;器件仿真文件结构;DESSIS文件构成;FILE;ELECTRODE;THERMODE;Physics;MATH;数学算法设置;SOLVE;MEDICI中电压扫描;ATLAS中电压扫描;输出结果查看;是否真不收敛？;不收敛的原因;工艺仿真引起的不收敛;数学算法不好;物理模型或参数设置;SILVACO和ISE演示;Thankyou！