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一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,电子产品不断向小型化、高性能化、多功能化方向迈进,这对集成电路的封装技术提出了更高要求。在传统的二维(2D)芯片封装中,信号传输主要通过平面布线实现,随着芯片集成度的不断提高,这种方式面临着信号传输延迟大、功耗高、布线复杂度增加等问题。为了突破这些瓶颈,三维(3D)封装技术应运而生。
硅通孔(Through-SiliconVia,TSV)技术作为实现3D封装的关键技术,在现代集成电路制造中占据着举足轻重的地位。它通过在芯片或晶圆的硅基板上制作垂直的通孔,并填充导电材料,实现了芯片内部不同层级或芯片之间的直接电气连接。这种垂直互
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