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模拟电子技术试题库（含答案）

一、单选题（共103题，每题1分，共103分）

1.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

A、错误

B、正确;

正确答案：B

2.射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（）

A、错

B、对:

正确答案：B

3.共发射极放大电路的反馈元件是()。

A、电阻RB;

B、电阻RE;

C、电阻RC。

正确答案：B

4.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。()

A、错误

B、正确;

正确答案：A

5.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。

A、截止

B、饱和

C、交越

D、频率

正确答案：A

6.集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）

A、深度负反馈

B、正反馈

C、负反馈

D、自激振荡

正确答案：D

7.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）

A、对:

B、错

正确答案：A

8.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）

A、错

B、对:

正确答案：B

9.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）

A、错

B、对:

正确答案：A

10.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。

A、矩形方波;

B、等腰三角波;

C、正弦半波;

D、仍为正弦波。

正确答案：C

11.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。

A、放大区；

B、饱和区；

C、截止区；

D、反向击穿区。

正确答案：A

12.双极三极管是一种（）

A、电流控制的电压源

B、电压控制的电流源

C、电压控制的电压源

D、电流控制的电流源

正确答案：D

13.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;

B、空穴;

C、电子和空穴;

D、负离子

正确答案：A

14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()

A、错误

B、正确;

正确答案：B

15.NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。

A、发射结反偏、集电结正偏

B、发射结正偏、集电结正偏

C、发射结正偏、集电结反偏

D、发射结反偏、集电结反偏

正确答案：C

16.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。

A、虚断和虚地

B、虚短和虚地

C、虚短和虚断

D、线性和非线性

正确答案：C

17.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()

A、错误

B、正确;

正确答案：A

18.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。

A、截止失真;

B、饱和失真;

C、晶体管被烧损。

正确答案：B

19.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。

A、截止

B、饱和

C、交越

D、频率

正确答案：B

20.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

A、正确;

B、错误

正确答案：B

21.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。

A、空穴载流子

B、自由电子载流子

C、少子

D、多子

正确答案：D

22.N型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。

A、四价;

B、五价;

C、三价;

D、六价。

正确答案：B

23.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()

A、变压器耦合

B、阻容耦合

C、光电耦合

D、直接耦合

正确答案：D

24.PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多子扩散；

B、少子漂移；

C、少子扩散；

D、多子漂移。

正确答案：A

25.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。

A、发射结反偏、集电结反偏

B、发射结正偏、集电结正偏

C、发射结反偏、集电结正偏

D、发射结正偏、集电结反偏

正确答案：D

26.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是()。

A、光电二极管

B、稳压二极管

C、变容二极管

D、发光二极管

正确答案：B

27.理想集成运放的输入电阻为（）。

A、不定。

B、0；

C、∞；

正确答案：C

28.单极型半导体器件是()。

A、二极管;

B、场效应管;

C、稳压管。

D、晶体三极管;

正确答案：B

29.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM；

B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；

C、集电极最大允许耗散功率PCM；

D、管子的电流放大倍数。

正确答案：C

30.若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）

A、错

B、对:

正确答案：A

31.分压式偏置的共射