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MOSFET参数及其测试方法

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的电子器件，

被广泛应用于各种电子设备和电路中。MOSFET的参数测试对于确保器件

的性能和可靠性至关重要。本文将介绍一些常见的MOSFET参数及其测试

方法。

1.阈值电压（Vth）：

阈值电压是指当MOSFET处于截止状态时，栅极电压与源级电压之间

的电压差。阈值电压可以通过静态测试方法来测量，即在MOSFET的栅极

和源级之间施加一系列电压，测量源级电流，找到伏安特性曲线上的截止

点。

2.转导电阻（Rds）：

转导电阻是指MOSFET导通时，由于导通的电流和栅极-源级电压之间

的斜率。可以使用四线电压法测量Rds，即在MOSFET的栅极和源级之间

施加一定的电压，通过源极和漏极之间的电压差和电流的比值得到转导电

阻。

3.饱和漏源电流（Idsat）：

饱和漏源电流是指当MOSFET处于饱和状态时，通过漏极的电流值。

可以通过直流测试方法来测量饱和漏源电流，即在MOSFET的栅极和源级

之间施加一个恒定的栅极电压，测量漏极电流。

4.互导电阻（Gm）：

互导电阻是指MOSFET的输出电导，也称为跨导。可以通过微小信号

测试方法来测量互导电阻，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个小幅

度的交流信号，测量源极和漏极之间的电压差和电流的比值。

5.输出电容（Coss）：

输出电容是指MOSFET的栅极-源级电容和栅极-漏极电容。可以通过

测试方法来测量输出电容，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个恒定

的栅极电压，将频率为1kHz的输入信号施加到栅极，测量输出电容。

6.开关速度：

开关速度是指MOSFET的开关时间，即从关断到导通或从导通到关断

的时间。可以通过测试方法来测量开关速度，即在MOSFET的栅极和源级

之间施加一个恒定的栅极电压，通过测量导通和关断时刻的时间差来得到

开关速度。

综上所述，MOSFET的参数测试方法包括静态测试方法和动态测试方

法。在静态测试中，需要测量参数如阈值电压、转导电阻和饱和漏源电流，

可以通过恒定电压或电流的方法进行测量。在动态测试中，需要测量参数

如互导电阻、输出电容和开关速度，可以通过施加交流信号和测量相应的

电流和电压来实现。通过正确的测试方法，可以准确评估MOSFET的性能

和可靠性，从而为电路设计和电子设备提供参考和指导。