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半导体器件物理施敏答案

【篇一：施敏院士北京交通大学讲学】

t——《半导体器件物理》

施敏s.m.sze,男，美国籍，1936年出生。台湾交通大学电子工程

学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，台湾中研院院士，

中国工程院外籍院士，三次获诺贝尔奖提名。

学历：美国史坦福大学电机系博士（1963），美国华盛顿大学电机

系硕士（1960），台湾大学电机系学士（1957）。

经历：美国贝尔实验室研究（1963-1989），交通大学电子工程系

教授（1990-），交通大学电子与资讯研究中心主任（1990-1996），

国科会国家毫微米元件实验室主任（1998-），中山学术奖（1969），

ieeej.j.ebers奖（1993），美国国家工程院院士（1995）,中国工

程院外籍院士(1998)。

现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标等。

施敏院士在微电子科学技术方面的著作举世闻名，对半导体元件的

发展和人才培养方面作出了重要贡献。他的三本专著已在我国翻译

出版，其中《physicsofsemiconductordevices》已翻译成六国

文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于

他在微电子器件及在人才培养方面的杰出成就,1991年他得到了ieee

电子器件的最高荣誉奖（ebers奖），称他在电子元件领域做出了基

础性及前瞻性贡献。施敏院士多次来国内讲学，参加我国微电子器

件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。

主要论著：

1.physicsofsemiconductordevices,812pages,wiley

interscience,newyork,1969.2.physicsofsemiconductor

devices,2nded.,868pages,wileyinterscience,newyork,

1981.

3.semiconductordevices:physicsandtechnology,523pages,

wiley,newyork,1985.4.semiconductordevices:physicsand

technology,2nded.,564pages,wiley,newyork,

2002.

5.fundamentalsofsemiconductorfabrication,withg.may,

305pages,wiley,newyork,

2003

6.semiconductordevices:pioneeringpapers,1003pages,

worldscientific,singapore,

1991.

7.semiconductorsensors,550pages,wileyinterscience,new

york,1994.

8.ulsitechnology,withc.y.chang,726pages,mcgrawhill,

newyork,1996.

9.modernsemiconductordevicephysics,555pages,wiley

interscience,newyork,1998.10.ulsidevices,withc.y.chang,

729pages,wileyinterscience,newyork,2000.

课程内容及参考书：

施敏教授此次来北京交通大学讲学的主要内容为《physicsof

semiconductordevice》中的一、四、六章内容，具体内容如下：

chapter1:physicsandpropertiesofsemiconductors

1.1introduction1.2crystalstructure

1.3energybandsandenergygap

1.4carrierconcentrationatthermalequilibrium1.5carrier-

transportphenomena

1.6phonon,optical,andthermalproperties1.7

heterojunctionsandnanos