模拟电子技术项目化教程（第2版）课件 项目2：电子生日蜡烛控制电路.pptx

三极管的结构与类型

1、基本概念晶体管（Transistor）：泛指用硅和锗材料做成的半导体元器件。包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。三极管（BJT）：是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。半导体三极管、双极型晶体管、晶体三极管，简称三极管（或晶体管）它是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作电子开关。三极管的结构与类型

2、三极管的结构与符号三极管的结构与类型NNP发射极e基极b集电极c发射结集电结基区发射区集电区emitterbasecollectorNPN型三极管PPNebcPNP型三极管ecbecb内部结构（1）发射区的掺杂浓度远高于基区和集电区的掺杂浓度；（2）基区做得很薄，且掺杂浓度低；（3）集电结面积大于发射结面积。

3、三极管的分类按结构：NPN、PNP按材料：硅管、锗管按工作频率：高频管、低频管按功率：小功率管500mW；中功率管0.5?1W；大功率管1W按工作状态：放大管和开关管。按安装方式：插件和贴片常用90XX系列：9012、9013、9014等（TO-92标准封装）三极管的结构与类型

4、三极管的外形结构三极管的结构与类型ebcecbebcbecebc

三极管的电流分配关系主讲：李华

1．三极管放大的条件三极管的电流分配关系NPNRcUCCIBIERb+UBE?+UCE?UBBcebIC输入回路输出回路PNPRcUCCIBIERb+UBE?+UCE?UBBcebIC内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏，集电结反偏NPN:VCVBVEPNP:VCVBVE

2．三极管内载流子的运动三极管的电流分配关系1）发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流IE。ICN多数向BC结方向扩散形成ICNIE少数与空穴复合，形成IBNIBN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)ICBOIBIBN?IB+ICBO即：IB=IBN–ICBO3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流ICICIC=ICN+ICBO2）电子到达基区后：

3．三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IE=IC+IB

结论（1）两种管子的电路符号用发射极箭头方向的不同以示区别，箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。（2）三极管具有信号（电流）放大作用。（3）保证放大的制造工艺：基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结的面积比发射结的面积大等。（4）在使用时三极管的发射极和集电极不能互换。三极管的电流分配关系

谢谢！

三极管的伏安特性主讲：李华

伏安特性曲线：三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线（输入特性曲线和输出特性曲线）。1.共发射极输入特性曲线三极管的伏安特性输入回路输出回路iBiEiC+VCCRcC1C2RL+Rb+ui?+uo?+uBE?+uCE?+与二极管特性相似O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE硅管：(0.6?0.8)V锗管：(0.2?0.3)V取0.7V取0.2V

2.共发射极输出特性曲线三极管的伏安特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321ICEO水平部分为何略上翘？由于uCE增大时，集电结空间电荷区变宽，基区变窄，使载流子在基区复合的机会减小，即电流放大系数?增大，称基区宽度调制效应。

2.共发射极输出特性曲线三极管的伏安特性（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置饱和压降UCES硅管：约0.3V锗管：约0.1V

3.PNP型三极管共发射极特性曲线三极管的伏安特性输入特性曲线O0.10.20.30.480604020iB/μA–uBE/V输出特性曲线iC/mA–uCE/V80μA60μA40μA20μAIB=0O24684321

【例】已知放大电路中BJT三个极的电位分别为：V1=–4V，V2=–1.2V，V3=–1.4V，试判断BJT的类型