光电效应与光电元件.ppt

1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。;光电效应的分类;1）外光电效应;爱因斯坦光电方程

电子逸出金属表面的速度v可由

能量守恒定律确定：;几种金属逸出功的近似值(eV);光的频率、波长、光速之间的关系;电磁波频谱（光是一种电磁波）;光电管电路及特性;光电倍增管;紫外光电管;二、基于内光电效应的光电元件;光敏电阻外形及结构;光敏电阻原理演示;光敏电阻的特性和参数;3）响应时间：光敏电阻受光照后，光电流需要经过一段时间（上升时间）才能达到其稳定值。同样，在停止光照后，光电流也需要经过一段时间(下降时间)才能恢复到其暗电流值，（时延特性）。光敏电阻的上升响应时间和下降响应时间约为10–2～10–3s，光敏电阻不能用在要求快速响应的场合。;部分光敏电阻的特性参数;二、光敏管;光敏二极管的结构;光敏二极管的工作原理;部分光敏二极管特性参数;光敏二极管实物照片;光敏二极管外形;光敏二极管伏安特性及红外发射、接收对管;光敏二极管的反向偏置接法

;光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示;特殊光敏二极管——PIN二极管;PIN二极管;PIN二极管的PN结与内部电场;特殊光敏二极管——APD二极管;APD光敏二极管的PN结、内部电场分布

及电子倍增;APD光敏二极管的

外形及用途;GD3250系列硅雪崩光电二极管的特性参数;.;光敏晶体管;光敏晶体管的结构;;光敏三极管的外形

多数只有C、E

两个电极;硅光敏晶体管的伏安特性;硅光敏晶体管的光谱特性;硅光敏

晶体管的光谱特性;几种光敏材料的光谱峰值波长;光敏二极管、晶体管的光电特性比较;光敏管的特性（续）;光敏管的频率特性;光敏晶体管的频率特性;3DU光敏三极管特性参数;光敏达林顿管;光敏晶闸管;光敏晶闸管用于光控路灯电路;光敏晶闸管多用于弱电控制强电的光耦电路;*;三、基于光生伏特效应的光电元件

——光电池;太阳能电池的种类;光电池的结构及工作原理示意图;光电池内部载流子的漂移示意图;光电池外形;1.硅光电池的图形符号及等效电路;2.硅光电池的主要特性;光谱特性：;光电池的光电特性;光电池的光电特性演示;光电池的温度特性;光电池的频率特性;能提供较大电流的大面积光电池外形

（频率特性很差）;光电池

组件;光电池在动力方面的应用;光电池在动力方面的应用（续）;光电池在动力方面的

应用（续）;各种光电池